法國電子資訊技術實驗室CEA-Leti開始生產12吋晶圓用加速計(accelerometer)，為微機電(MEMS)產業首例。
據Electronics Weekly網站報導，Leti執行長Marie Semeria表示，其8吋MEMS平台已與12吋晶圓製程相容，可望大砍MEMS生產成本，有益物聯網(IoT)應用市場擴大發展，也可回應行動裝置對於MEMS日益增加的需求。
Leti生產MEMS製程已有30年歷史，目前MEMS部門有200名員工。
近日Leti推出微機電與奈米機電(M&NEMS)技術，整合加速器、陀螺儀(gyroscope)、磁量計(magnetometer)、壓力轉換器(pressure transducer)、麥克風等感測器在同一顆晶片上面。
為了簡化製程，所有的感測裝置都屬壓阻式(piezoresitive)感測，不但強度高且體積小，可打造比其他廠商體積小一半的感測器。
一般廠商得將加速器、陀螺儀與磁量計分開置放於不同的矽晶圓，然而Leti可將3個加速器、3個陀螺儀、3個磁量計放在一起。M&NEMS製程有97道步驟，且每一道都已導入12吋晶圓製程。
12吋晶圓製程比8吋晶圓製程便宜30%，此外，12吋晶圓也較適合大型MEMS，譬如超音波或是熱阻式影像(micro-bolometer imaging)採用的自動對焦微機電系統(auto-focus mechanism)、數位喇叭、影像感測器等裝置都體積龐大。
M&NEMS使用獨立式讀出晶片搭載信號處理電路，不像傳統製程中，MEMS與CMOS會導入同一顆晶圓。M&NEMS目前技術處理方面沒有問題，但成本仍有待降低。
Leti的8吋與12晶圓製程均提供3D整合技術，包括使用矽穿孔(TSV)、晶圓薄化(wafer thinning)、晶圓堆疊(wafer stacking)、銅柱(copper pillars)等技術，讓M&NEMS晶片內得以堆疊讀出晶片架構。不過採用8吋晶圓製程只能實現130奈米CMOS，而12吋晶圓則能實現65、45、28奈米讀出處理。
此外，Leti也利用矽晶絕緣體(SOI)與堆疊式矽晶圓(thin top silicon)開發出NEMS製程，以生物與化學感測技術產品為主要對象。由於目前市場不夠大，NEMS製程僅使用於8吋晶圓。
DIGITIMES中文網 原文網址: MEMS製造成本大幅降低 可望加速物聯網發展 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?Cnl...
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