日前英特爾(Intel)與美光(Micron)發表了號稱是全新類別的記憶體技術，這是頗罕見的訊息；這兩家公司在新聞稿上表示，他們一起開發的3D XPoint是「自1989年NAND快閃晶片推出以來的首個新記憶體類別」，而且其速度是非揮發性記憶體的1,000倍、密度則是DRAM的8~10倍。
但3D XPoint記憶體到底是什麼其實不太清楚，根據EE Times編輯Peter Clarke的報導，英特爾與美光對於該記憶體的材料結構或開關機制細節透露得很少，僅表示其開關機制是基於塊狀材料的電阻變化，而兩家公司為3D XPoint記憶體「發明了獨特的複合材料」。英特爾與美光提供的新聞資料，花比較多篇幅談到連網裝置數量的爆炸，以及各種數位服務產生大量的新資料，為了要讓那些資料發揮用途，它們必須要能快速地儲存並進行分析。
資料爆炸何時不曾發生？我從事科技報導至今已經快20年，總是聽到資料量越來越多，而有變化的是那些資料會儲存在哪裡、將如何儲存；我們對SAN、NAS的討論，已經被傳統硬碟機vs.固態硬碟(SSD)的話題取代，以及將有多少資料會飛上「雲端」。美光與英特爾也談到了3D XPoint記憶體能藉由快速存取大量資料集，減少處理器在長程儲存時接觸資料所需時間；此外還有電腦玩家能因此享受到更短的下載時間。但這些都不是新的概念。
當然，半導體產業界的訊息總是會有某種程度的誇大──例如現在每款SSD產品發表，都是強調每日可處理多少讀寫次數──英特爾與美光的聯合聲明，看起來就很像是智慧型手機那種消費性產品的新聞稿，很強調那些嘩眾取寵的數字，卻對新記憶體技術原理細節著墨不多，但後者才是記憶體產業界人士們真正想知道的。
今年稍早我寫了一篇關於三星(Samsung)新ePOP封裝技術記憶體的文章，被很多希望看到更深入資訊的讀者放大檢視；而我也繼續向三星追蹤訊息，嘗試釐清該技術是否能達到如該公司所聲稱的性能，但三星不願透露該公司是如何避免NAND快閃記憶體的溫度升高到可能導致故障的程度。
英特爾與美光最終還是不願意透露3D XPoint 這種記憶體技術的本質，因此也引來許多猜測；它有可能是內置了特選的二極體、以實現高密度元件結構的電阻式記憶體(ReRAM)嗎？EE Times的評論家們已經試圖從有限的已發表資料中來分析…也許它是相變化記憶體(PCM)的變形？
市場研究機構Objective Analysis首席分析師Jim Handy也在英特爾與美光新記憶體發表會的現場，並詢問兩家公司的代表，究竟3D XPoint最接近哪種記憶體？但他得到的回答是，目前市面上沒有任何一種技術像3D XPoint那麼成熟；「他們還是沒有揭開神秘面紗；」Handy表示，英特爾與三星就是堅持3D XPoint不像任何一種過往技術：「根據他們提供的有限資料，我們也只好照著他們的話說。」
就算它非常神秘，Handy表示3D Xpoint記憶體仍值得注意，但恐怕沒有達到會讓人從半夜驚醒的「突破」；各種替代性記憶體技術往往是希望能取代DRAM或NAND快閃記憶體，不過英特爾與美光卻表示，他們的新記憶體有自己的定位，而且不會讓美光的3D NAND產品藍圖有變化。Handy認為：「它在記憶體階層架構(memory hierarchy)中一定有個位置。」
那如果3D Xpoint實際上是塊狀開關(bulk switching) ReRAM、或是PCM的變種呢？以現有技術創造一種新使用途徑，其創新性就跟發明全新的技術是一樣的，而且如果能聽到ReRAM或PCM是如何被重新設計才變身成英特爾與美光的3D Xpoint，會比聽到他們是用了什麼材料「秘方」或新製程技術來得更有趣。
在英特爾與美光提供更多細節資料之前，我們對於3D Xpoint記憶體看來也只能繼續猜測，除非等到採用該新記憶體技術的產品上市。
編譯：Judith Cheng
(參考原文： There’s No Shame in ReRAM，by Gary Hilson)
資料來源:電子工程專輯
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