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三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產V NAND的競爭業者將技術差距拉大到2年以上，並在次世代存儲器芯片市場上維持獨大地位，計劃在2015年內量產堆疊48層Cell的3D垂直結構NAND Flash。

據首爾經濟報導，三星近來已完成48層結構的V NAND研發，並著手研發後續產品64層結構V NAND。48層V NAND將於2015年內開始量產。原本韓國業界推測三星會在2015年下半完成48層V NAND，並在2016年才投入量產，然三星大幅提前了生產日程。

2013年首度公開24層結構V NAND的三星，在不到1年時間內的2014年5月，領先全球開始生產堆疊層數提升30%的32層V NAND。接著又完成48層V NAND研發，技術力領先群雄。
以營收為基準，在NAND Flash市場上排名第二~五名的新帝(SanDisk)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)等，都尚未投入V NAND生產。
V NAND是為了突破平面結構NAND Flash的技術瓶頸，而改變為立體結構的創新產品。將存儲器Cell層層堆高，堆疊越多層，集積度越高，可提升儲存容量。此外，V NAND的壽命也較平面NAND延長最高10倍。

三星已完成研發的48層V NAND，被業界看作是存儲器芯片的分水嶺。直到32層V NAND因成本相對於性能來說仍舊偏高，市場性比平面結構芯片低，然48層結構V NAND已能確保價格和品質，可望成為V NAND市場大勢。

東芝認為，推出32層V NAND的主要目的與其說是提升獲利，宣示技術力的成分較高；然超過40層的V NAND將能讓技術力領先的業者掌握市場。

V NAND需求也正逐漸升溫，報導引用市調機構iSuppli資料指出，未來取代硬碟的次世代儲存裝置固態硬碟(SSD)，搭載V NAND的比重將從2014年的0.1%，在2018年增加到31.1%。
目前三星和其他競爭企業在V NAND領域的技術差距約有2年以上。SK海力士、英特爾(Intel)和美光(Micron)的合資公司IM Flash以2015年初投入量產為目標，對客戶公開24層結構V NAND樣品，東芝預計會在2015年下半推出24層V NAND 。