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日經新聞報導，全球半導體業者競逐下一個世代記憶體晶片的主導權日趨白熱化，東芝和海力士組成的日韓聯軍、美國美光公司領軍的團隊，以及南韓三星電子等三大陣營，研發磁阻式隨機存取記憶體（MRAM），要拚誰最快量產。

日本的東芝和南韓的海力士公司，最快​​將於2016年度起合作量產新型記憶體晶片MRAM，比美國半導體大廠美光科技（Micron Technology）規劃的2018年早約兩年。

東芝和海力士正研發的MRAM在關掉電源後，仍能保存數據資料。相較於目前廣泛使用在PC、智慧手機和其他裝置的動態隨機存取記憶體（DRAM），MRAM的資料儲存量高出九倍，耗電量僅三分之二。

東芝和海力士於2011年同意攜手開發MRAM，希望明年度就能開始提供由首爾郊外海力士晶圓廠生產的樣品。雙方的計劃是讓MRAM在南韓量產，如果需求達標，將組成合資公司，投入1,000億日圓（9.4億美元）資金，在日本或南韓開闢專屬生產線。

除東芝和海力士外，全球還有兩大陣營在各自努力推動MRAM 的商業化。美光現正與包括東京威力科創在內約20家美、日半導體業者合作，力圖在2018年實現量產的目標。南韓的三星電子公司也不落人後，目前維持自主研發路線。

閱讀秘書／MRAM

磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）是數位資訊存取市場中的新興記憶體技術。 MRAM 具非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點，商業化應用仍在開發階段。

來源： 經濟日報