圖1：每閘極成本。
半導體產業正在面臨一項挑戰，即每兩年微縮晶片特徵尺寸的週期已然結束，我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業界目前面臨的幾項關鍵挑戰都顯示，晶片微縮的路程愈來愈艱困了。
1. 晶圓代工廠量產32/28nm晶圓的週期延長到了三年左右。2009年，45/40nm晶圓佔代工廠營收比重僅10%；而2012年第四季，32/28nm占代工廠營收比重也是10%。
2. 在32nm量產2年多以後，22nm的FinFET才宣佈將邁入量產。FinFET是一項極具挑戰性的技術。英特爾在這方面的研究相當卓越，但仍需克服許多挑戰，才能支援新一代SoC所需的多閾值電壓和多VDD位準。
3. 與28nm製程相比，下一代20nm平面CMOS將面臨更多的容差控制挑戰。這可能帶來重大影響──20nm的每閘極成本將高於28nm。
由於每閘極成本很可能會升高，因此，在邁向下一代製程時要做的工作實際上還有很多，這會再延長設計完成的時間。另外，14nm世代的每閘極成本也可能比28nm來得高。
4. 20nm以後的下一步是什麼？半導體產業正致力於開發14nm FinFET。他們確實能開發出來，但在製造上會面臨更多挑戰，包括階梯覆蓋(step coverage)、FIN尺寸的控制、在多個層上使用雙重圖形(double patterning)，甚至需要使用四重圖形等。
此外，EUV技術顯然不會在2014~2015年就緒，所以業界仍得繼續使用193nm工具。而最近檢視28nm生產線的問題也顯示，許多技術正在逼近極限。
另一個關鍵問題是FinFET能否實現晶片上的多VDD位準和多閾值電壓。
業界要做的工作很多，必須開發新的元件庫、IP必須過渡到FinFET架構、必須測試晶片的運作，還要確保能夠量產。在14nm世代，複雜的晶片將花費2億~5億美元的設計成本，即使是返工也必須花費2,000萬~5,000萬美元。更不用提設計失敗的成本了。
更重要的是，直到2016或2017年，看來都不會有英特爾以外的公司量產14nm FinFET。要達到量產階段，就必須確保能達到比前幾代技術更低的功耗，以及更更的每閘極成本。
而在14nm以後，還會面臨全新的挑戰(EUV、450mm、碳奈米管等)。半導體產業必須瞭解艱鉅的挑戰會不斷迎面而來，而且朝更小特徵尺寸轉移的時間也會不斷延長。
這代表整個供應鏈，包括模具供應商、光罩廠商、代工廠、IC設計公司和電子產品製造商都必須進行調整。
從硬體角度來看，蘋果(Apple)這次推出新一代iPad時所做的最主要調整，只有更高解析度的顯示器罷了。
對晶圓供應商來說，若他們不做出相應調整，那麼每月10,000片晶圓，高達10億美元的成本，是非常驚人的。
本文作者Handel Jones是市場調查暨顧問公司International Business Strategies Inc.的創辦人兼CEO。
編譯： Joy Teng
(參考原文： Feature dimension reduction slowdown ，by Handel Jones)
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