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全球第3大DRAM廠爾必達(Elpida)2日發布新聞稿宣布，已研發出一款採用全球最先端25nm製程技術的2Gb DDR3 SDRAM產品，並計畫於今(2011)年7月開始進行送樣及量產，且量產對象將於今年年底擴增至4Gb DDR3 SDRAM產品，之後也計畫將該25nm製程技術應用於Mobile RAM上。據日經新聞報導，爾必達將成為全球首家量產25nm產品的DRAM廠，且在製程細微化的腳步上也將超越競爭對手南韓三星電子。

爾必達表示，和該公司30nm產品相比，25nm 2Gb產品每片晶圓的晶片產出量將增加約30%(若為4Gb產品則可增加44%)、消耗電流也將進一步減少(動作時減少約15%、待機時減少約20%)。爾必達指出，此次研發完成的25nm 2Gb產品可支援DDR3-1866(1866Mbps)的超高速動作，並可支援低電壓(1.35V)高速版的DDR3L-1600(1600Mbps)。

爾必達甫於4月27日宣布，計畫利用日本廣島工廠與台灣子公司瑞晶電子(4932)正式量產採用30nm製程的DRAM產品。其中，廣島工廠將於今年5月開始進行量產，瑞晶則將於今年7-9月時進行量產。