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華邦電子(Windbond)以65奈米 Buried World Line 製程，推出四款512Mbit的Mobile Ram，使行動記憶體除了行動電話產品應用領域之外，更擴展至手持消費性及行動資料通訊等市場，並有助於使其應用產品市場更加完備。

W989D6C 與 W989D2C 為 512Mb mobile LPSDR 行動記憶體，分別支援 x16 及 x32 資料寬度。主要功能為 Sequential 或 Interleave burst、166MHz 工作頻率、標準的 Self Refresh Mode、具省電目的的Partial-Array Self Refresh (PASR)、以及Automatic Temperature Compensated Self Refresh (ATCSR)、Deep Power-Down (DPD)、可程式 output buffer driver strength 。適用於手持多媒體播放器、電子書閱讀器、車用產品、手持消費性電子產品、掌上型遊戲機與其他手持裝置。

W949D6C 與 W949D2C 為 512Mb mobile LPDDR 行動記憶體，分別支援 x16 及 x32 資料寬度。主要可提供雙倍率資料、Sequential 或 Interleave burst、166MHz 工作頻率、標準的 Self Refresh Mode、省電的PASR及ATC SR、DPD、可程式 output buffer driver strength。適用於手持多媒體播放器、電子書閱讀器、行動電話、3.5G/4G行動資料卡、車用產品、手持消費性電子產品、掌上型遊戲機與其他手持裝置。

華邦電子將持續開發 46奈米製程，未來將用於生產更新世代行動記憶體。所有產品的樣品皆自2011年三月開始提供，四月開始供貨。