應材發佈22nm以下3D電晶體製造技術突破

應用材料(Applied Materials)公司日前發佈全新的 Applied Centura Conforma 系統，採用突破性的均勻電漿植入(CPD)技術，在生產新一代邏輯與記憶體晶片時，能製造出先進的 3D 架構。

這種獨特的電漿植入解決方案，主要針對22奈米及以下技術的邏輯和記憶體晶片，它能取代離子束植入技術，對複雜的3D架構進行均勻的植入，預計將為應用材料公司打開新市場。

Conforma 系統在單一真空反應室中，獨特地結合了高劑量、低耗能的植入技術與同步清洗功能，可同時在平面與3D架構上，進行均勻的高產能植入。另外，為了確保優良的設計效能，這項系統也使用了高純度的化學植入作用，因此能保留需加強的設計結構，這是其他電漿植入系統皆未提供的關鍵功能。

應用材料公司副總裁暨前段產品事業群總經理Sundar Ramamurthy表示：「我們的電漿植入技術結合了本公司在無線電頻(RF)工程設計、化學氣相沉積反應室設計的專業及豐富的製程知識。許多客戶已採用了我們的勻稱(Conforma)技術，同時進行系統的試產與量產。我們也與客戶和研究機構共同合作，運用我們的專利技術推出開創性的研發計畫。」

植入是一項基本的晶片製程，透過將植入物混入晶格架構中，改變材料的電性。這項製程傳統上是以高速離子束來撞擊晶圓，但這種製程無法對先進3D架構進行均勻的植入。更重要的是，高速離子束將難免傷害先進晶片中的超薄半導體層。

應用材料公司的Conforma技術提供溫和的低耗能製程，可針對複雜的3D晶片結構，進行均勻的植入，克服技術挑戰。Centura Conforma可在同一座真空平台上連結電漿預清洗與快速升溫製程回火技術，是目前市場上唯一能夠做到這點的電漿植入系統，這種功能可整合製程步驟，並確保經過處理的晶圓不含可能的有害殘餘物。

由全新的 Conforma 系統製造的先進設計，包括finFET邏輯、垂直閘極DRAM與垂直 NAND快閃記憶體陣列。