構，但仍面對許多懸而未決的材料相關挑戰，包括在高Al含量的AlGaN中缺乏有效的p型摻雜、在外延基板上生長平面UV LED的高穿透位錯和缺陷密度，以及光擷取效率低(通常小於10%)。
在最近發表於《Nanoscale》期刊的「利用懸垂外延實現自平面化量子磁碟奈米線超紫外光-B發射器」(Self-planarized quantum-disks nanowires ultraviolet-B emitter utilizing pendeo-epitaxy)一文中，阿布杜拉國王科技大學(King Abdullah University of Science and Technology；KAUST)的研究人員解釋如何透過生長無錯位AlGaN奈米線取得等效於近乎無缺陷的平面結構，這些奈米線彼此間極其接近地成核，使其最終在上部末端聚結。
研究人員在清清潔的矽晶圓上精確控制初始氮化鎵(GaN)成核過程，並使用無催化劑的電漿輔助分子束外延(PAMBE)形成特定生長條件後，他們宣稱能夠克服圍繞奈米線生長的許多問題，以一致的高度獲得高密度、自發性聚結、無錯位的AlGaN奈米線，顯示得以呈現自平面化的頂層表面。這種反錐形的奈米線底部直徑約30nm，可隨其生長在400nm長的頂部擴展直徑至70nm。
生長奈米線可用於整合15對幾乎佔據整個奈米線體積一半的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子磁碟(Q-disk)，以及1個p型AlGaN電子阻障薄層。P型漸變AlGaN層(約25nm厚)與p-GaN層(約20nm)共同生長作為頂部接觸層。
由於具有較高密度(約1x1010cm^-2)、可在大面積上聚結以及均勻的高度分佈，讓奈米線得以達到超過95%的填充因子，而Ni/Au層可以直接沉積在聚結的p-GaN層頂部，而不至於發生極化作用。
(a)該元件結構的俯視圖像，以及插圖中奈米線的傾角圖；(b)聚結AlGaN奈米線的STEM-HAADF影像
研究人員描述了這種大面積AlGaN量子磁碟在奈米線LED的發射性，以窄線寬發射頻譜在室溫下測得303nm電致發光(約48A/cm^2偏置或在0.5×0.5mm^2的面積時約120mA)，以及20nm的半峰值全寬(FWHM)為約20nm。導通電壓為9V。
具有其各獨立層的奈米線示意圖
總之，研究人員得出了結論，並打造出有效製造UV LED的最簡單方法，而無需使用預先圖案化的基板或特殊光罩，而且也不需要UV吸收聚合物材料進行平面化(因為沒有平面化步驟)。此外，奈米線具有較大增益介質(主動區/奈米線長度比率超過50%)，具有15個堆疊的Qdisk有效地組合了大多數注入的載子，並在頂部自平面化聚結，從而增強載子重新組合。
在低成本和可擴展的矽基板上生長Q-disk的另一個好處是其使用漸變AlGaN層改進載子注入。研究人員希望這種方法還可以用於開發其他類型的奈米線元件。
編譯：Susan Hong
(參考原文：Reaching the perfect epitaxy recipe for UV LEDs，by Julien Happich)
Source:EETimes
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