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美國加利福尼亞州弗里蒙特市——全球領先的半導體設備製造商泛林集團公司（納斯達克股票代碼：LRCX）今天宣布，公司推出了基於Flex™ 電介質刻蝕系統的原子層刻蝕(ALE ) 技術，從而進一步擴大了其旗下的ALE產品家族。
得益於泛林集團先進的混合模式脈衝(AMMP) 技術，新型ALE 工藝可在原子層面進行控制，以應對邏輯器件尺寸縮小至10 nm 及以下技術節點所面臨的關鍵挑戰。最新的Flex 系統在業界率先使用等離子體增強的ALE 技術進行電介質膜刻蝕，並已被用作邏輯器件大批量生產的標配設備。

泛林集團刻蝕產品事業部副總裁VahidVahedi表示：“從晶體管和接觸孔的製造到金屬互聯的成形，邏輯器件製造商對精度不斷提出新要求，以滿足10nm 及以下技術節點的需要。對於一些使用刻蝕工藝來幫助製造關鍵結構的器件應用，如自對準接觸孔等，傳統技術無法提供足夠精準的工藝控制，以滿足現階段嚴格的產品規格要求。我們最新的Flex 產品採用電介質原子層刻蝕，以達到原子級別的精準工藝控制，並且已經通過量產驗證，能夠滿足客戶的關鍵需求。”

為進一步縮小邏輯器件尺寸，芯片製造商正採取新的集成方案，例如使用自對準接觸孔(SAC) 來解決RC 延遲問題。因此，接觸孔刻蝕已成為最關鍵的工藝之一，直接影響晶片產品良率和晶體管性能。為了能以高保真度製造關鍵器件結構，刻蝕工藝需要選擇性超高的定向（各向異性）技術，同時還要保證量產所需的高生產效率。

泛林Flex 電介質刻蝕系統為下一代邏輯器件和晶圓代工生產提供業界最先進的電容耦合等離子體(CCP) 反應器，該反應器採用獨特的小體積設計，以提供可重複的結果。最新的Flex系統採用了專有的AMMP 技術，可對電介質膜，如二氧化矽(SiO2) 進行原子層刻蝕。與過去的電介質刻蝕技術相比，該技術通過原子層級別的工藝控制，將選擇比提升了兩倍。