三星電子(Samsung Electronics)連續24年蟬聯全球DRAM存儲器半導體市佔率第一，為半導體產業寫下新歷史；2015年市佔率達45.3%，營收突破200億美元，不但刷新自身紀錄，也成為存儲器價格持續下跌聲中，唯一還能獲利的業者。
據韓媒Money Today報導，市調機構IHS資料顯示，2015年三星DRAM營收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長9.5%，首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營收卻逆勢成長。
從整年度的市佔率來看，三星占45.3%創下歷史新高；排名第二的SK海力士(SK Hynix)為27.7%，營收124.89億美元，較2014年126.66億美元減少，但市佔率微幅增加。第三名美光(Micron)的營收滑落到90.70億美元，市佔率也從24.6%下降到20%。
三星電子在1992年開發出64Mb DRAM之後，連續24年蟬聯DRAM半導體全球市佔率第一。三星能穩坐龍頭地位的關鍵，在於擁有競爭對手難以超越的技術差距，這也是半導體市場價格持續滑落，三星仍能維持獲利的原因。
三星致力於突破微細製程的瓶頸，率先進入10納米級DRAM量產，欲以領先的技術競爭力掌握市場。繼成功開發18納米DRAM之後，下一個目標是開發10納米前段(1z)的DRAM技術。
業界人士表示，2015年三星採用20納米微細製程，成功銷售許多高附加價值產品。由於能生產競爭者做不到的高性能產品，即便市場情況不佳，這類產品仍能維持一定價格，受影響程度相對較小。
與DRAM同屬存儲器半導體的NAND Flash市場情況類似。三星藉由高速、低耗電的垂直構造V NAND技術，成為2015年第4季唯一NAND Flash營業額逆勢成長的業者。
相較於競爭者才剛進入21納米量產，準備提高21納米量產比重，主力產品仍停留在25~30納米階段，日前三星證實已啟動18納米8Gb DDR4 DRAM量產。因此業界認為，三星與對手的技術差距已經拉開至2年以上，在市場上一枝獨秀的情況可望延續至2016年。
三星計劃在2016年要將10納米級技術用於大部分DRAM產品，並且加速研發10納米中段(1y)與10納米前段(1z)的新一代DRAM技術。半導體事業負責人金奇南表示，有信心成功開發10納米前段的DRAM技術。
三星在半導體市場佔有的優勢，對南韓的經濟發展也有很大貢獻。2015年南韓半導體的出口規模為629.16億美元，佔整體出口(5,267.57億美元)比重的11.9%。
雖然南韓的整體出口規模萎縮，但半導體類別不減反增，寫下出口規模新高，是也2001年之後，存儲器類別佔整體出口比重最高的一次。
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