韓國首爾訊—— 全球存儲領軍品牌三星電子今日宣布,已開始正式量產業界首款可應用於固態硬盤(SSD)中的48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。

三星電子存儲芯片事業部全永鉉總裁指出:“我們面向全球市場推出第三代三維V-NAND閃存, 以更好性能、更節能和更高生產效率的最先進存儲器解決方案,來加速SSD市場向高性能、高密度化方向發展。”“通過充分利用三星電子在V-NAND閃存方面的獨特優勢,我們將在企業、數據中心市場及消費市場擴展高端業務,持續加強大眾對我們SSD產品線的關注。”

與容量為128Gb的傳統NAND相比,三星電子此次量產的新一代256Gb 3D V-NAND閃存芯片密度實現翻倍增長。除了在單芯片上支持存儲容量高達32Gigabytes(256Gb)之外,新的芯片還能輕鬆地翻倍提升三星電子現有SSD的存儲容量,為TB級SSD提供理想的解決方案。

在2014年8月推出第二代32層3bit MLC V-NAND閃存之後,三星電子在本月隨即發布第三代48層3bit MLC V-NAND閃充閃存芯片,並將持續引領3D存儲時代。

新一代V-NAND閃存中,每個單元都採用相同的3D Charge Trap Flash(簡稱CTF)結構設計,每片芯片存儲單元陣列垂直堆疊48層,利用其特殊的蝕刻技術,通過18億個通道孔在陣列上實現電子互連。每個芯片共包含853億個單元。單個存儲單元容量為3bit,一共能存儲2,560億位的數據,換句話說,就是一個不超過手指尖大小的芯片能存儲256Gb數據。

與32層3bit MLC 128Gb V-NAND閃存相比,當存儲相同容量的數據時,一個48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存功耗能減少30%。在量產階段,相對於之前推出的32層3D V-NAND閃存而言,新型芯片可將生產效​​率提升約40%, 在繼續使用現有設備的同時,大大提升了SSD市場的成本競爭力。

在2015年接下來的時間內,三星電子計劃繼續生產第三代V-NAND閃存,以加速推廣TB級SSD的市場普及率。目前三星電子正在計劃面向消費者推出2TB級甚至更高容量、更高密度的SSD,還將計劃採用業界領先的PCIe(NVMe)接口和SAS接口的產品來提升面向企業級用戶和數據中心存儲市場的高密度SSD的市場銷量。

資料來源:韓國首爾訊

arrow
arrow
    全站熱搜
    創作者介紹
    創作者 Shacho San 的頭像
    Shacho San

    真乄科技業的頂尖投資團隊

    Shacho San 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()