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荷蘭代爾夫特理工大學（Delft University of Technology）與日本北陸先端科學技術大學院大學宣佈，其開發出了在紙上「印刷」多晶矽層的技術，相關論文發表在了學術期刊《應用物理快報》（Applied Physics Letters）上。

此次開發的印刷方法是：
（1）在沒有氧氣和水分的環境下，將「矽墨水」塗布到加熱至80℃的基板上，矽墨水是將環戊矽烷（CPS，氫鍵合在矽的5節環上而形成）溶解在溶劑中製成的；

（2）在溫度為100℃的環境下，照射波長為365nm的紫外線（UV），然後使CPS聚合形成聚矽烷；

（3）向聚矽烷層照射數十納米的准分子鐳射，變成多晶矽。上述包括TFT形成過程在內的程式的工藝溫度不會超過150℃，可利用更多的柔性基板。

利用這項技術製作的TFT的載流子遷移率最大為23.5cm2/Vs。在按照這種方法製作的TFT中，只照射一次較高能量鐳射製作的NMOS的載流子遷移率為2.6cm2/Vs、PMOS的載流子遷移率為3.9cm2/Vs。通過反覆照射多次較弱鐳射製成的NMOS的載流子遷移率為21.0cm2/Vs，PMOS的載流子遷移率為23.5cm2/Vs。

通過一次照射製作的NMOS和PMOS的電流導通截止比在104以上，而通過多次照射製作的NMOS和PMOS的電流導通截止比則較低，分別在103、102以上。