2015/04/29 2016年3D V-NAND市場擴大10倍三星拉大與後起業者差距 @ 真乄科技業的頂尖投資團隊

在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業間的競爭也將漸趨激烈。

據韓國MT News報導，2016年前3D V-NAND市場規模預估將擴大10倍，而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導體廠加速生產V-NAND。三星獨大V-NAND市場，為拉大與後起業者的差距，生產產品將從目前的32層堆疊結構，增加到48層。

外電引用市調機構IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術分類，V-NAND佔比將從第2季2.9%，在年底提升到7.4%，2016年第4季時預估將增加到29.6% ，在1年半的時間內擴大約10倍。

V-NAND市場迅速成長，2017年將擠下目前佔市場比重97%平面TLC或MLC NAND Flash，以41.2%成為主要產品。2019年V-NAND將以77.2%市佔率掌握市場。因技術難度高，目前V-NAND雖然只應用在伺服器用產品等高階市場，但未來將會迅速往移動裝置用市場擴散。

3D V-NAND比起平面NAND，處理速度快2倍、耐久性快10倍、生產效益高2倍、耗電量也減少一半。TLC更容易實現高容量化，且重量和體積都大幅縮減。目前三星和日系大廠東芝(Toshiba)都有生產TLC NAND，而V-NAND市場則由三星獨占。

V-NAND市場規模擴大，半導體大廠也加速展開移動。繼三星之後，NAND Flash市場二哥東芝計劃在2015年下半投入48層堆疊V NAND生產。美光(Micron)和英特爾(Intel)決定攜手共同研發3D NAND，三星日前則公開較128Gb TLC容量提高3倍的384Gb TLC技術。

SK海力士(SK Hynix)計劃2015年第3季開始生產36層堆疊MLC V-NAND。2014年底SK海力士完成研發24層結構V-NAND技術，在2015年底將推出48層TLC V-NAND，正式加入V-NAND競局。

三星2013年8月成功生產24層結構MLC V-NAND，領先全球開啟3D NAND市場後，2014年10月開始量產32層128Gb TLC V-NAND。三星為生產48層產品，已完成相當的準備作業。在最終檢驗完成後，將較其他競爭企業提早6~7個月，投入48層TLC V-NAND量產。

東芝等半導體大廠正展開追即，然三星暫時可維持技術差距。韓國半導體業者表示，技術研發、樣品生產等與實際投入量產時差很大。在量產前一刻若發現問題，將使計劃推遲一段時間，因此要到其他半導體大廠投入生產，才能看出其追擊能力。

另一方面，正逐漸取代傳統硬碟(HDD)的固態硬碟(SSD)，也將擴大搭載3D V-NAND。報導稱，2015年V-NAND SSD佔市場比重約2~3%，之後將持續擴大，2017年17~19%、2018年31~35%、2019年45~55%等。

三星2014年在SSD市場的佔有率以34%位居第一，與市佔率17%、排名第二名的英特爾差距達2倍。韓國半導體業者表示，在V-NAND技術方面三星較為領先，在SSD市場上可能也將持續佔有優勢。