NAND Flash市場需求成長快速，然而價格滑落也同樣迅速。
NAND Flash市場受到移動裝置等需求增加帶動，出現迅速成長，然而價格滑落的速度也和出貨成長同樣迅速。要在市場上生存，主要製造廠之間的生產效能競爭將漸趨激烈。
韓聯社引用HIS iSuppli資料預估，全球NAND Flash出貨量在2013~2018年期間，年平均增加41.8%。
以1GB為基準計算的NAND Flash出貨量，2013年為355.07億顆，2014年增加48.6%至527.51億顆，2015年預計為766.7億顆、2016年為1,116.65億顆、2017年為1,516.6億顆、2018年為2,036.16億顆等。
反觀NAND Flash價格未來5年間，平均下滑27.7%。以1GB為基準的平均銷售價格(ASP)來看，從2013年0.71美元到2014年0.49美元，下滑31.0%，接著2015年0.36美元、2016年0.26美元、2017年0.20美元、2018年0.14美元等，逐年下滑。
整體NAND Flash的銷售額同期間年平均增加3.1%。2014年將較2013年的250.94億美元增加2.6%，至257.41億美元。
主要製造廠因應需求增加，將擴充生產設備，另一方面，為提升生產效率也必須確保尖端製程技術。和其他半導體產品一樣，伴隨著NAND Flash的技術發展，價格將持續下滑。要在其中維持競爭力，就必須比其他競爭對手更早導入尖端技術，提升集成度並降低生產成本。
三星將Cell以3D垂直結構克服傳統水平排列的製程瓶頸，並於2013年投入量產。2014年5月再推出第二代V NAND，從24層堆疊結構提升到32層，接著又推出32層結構的第三代TLC V NAND，鞏固技術主導權。
三星電子(Samsung Electronics)8月初推出生產效能較其他產品高2倍的TLC V NAND，吸引業界目光。
三星第1季將平面結構的TLC NAND Flash生產比重提升到60%。
緊跟在三星之後的東芝(Toshiba)日前決定對三重縣四日市工廠執行資本支出，3年間將投資7,000億日圓(約68.5億美元)。東芝將在新工廠中生產V NAND產品。目前東芝的TLC生產比重為25%。
在1987年領先全球研發出NAND Flash的東芝，日前以涉嫌偷竊NAND Flash技術為由，對SK海力士(SK Hynix)提出告訴。南韓業界認為，這是東芝牽制SK海力士的策略。
SK海力士2012年投資2.85兆韓元(約27.6億美元)，在南韓清州建設NAND Flash產線M12，並陸續購併義大利Ideaflash、美國LAMD、台廠銀燦eMMC控制器事業部、美國Violin Memory的PCIe事業部、東歐Softeq Development的韌體事業部等，透過購併活動強化NAND Flash事業力量。
SK海力士預計2014年內完成V NAND和TLC產品研發，並於2015年投入TLC量產。
2013年購併日系大廠爾必達(Elpida)的美光(Micron)，也致力推動NAND Flash事業。美光2013年底將新加坡DRAM場轉換為NAND Flash工廠，擴大NAND Flash產量。
在NAND Flash市佔率方面，三星第1季為37.4%居冠，接著是東之31.9%、美光20.1%、SK海力士10.6%。
資料來源:HIS iSuppli
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