據富比士(Forbes)報導，2014年5月14日，東芝(Toshiba)宣布改建日本四日市(Yokkaichi)廠區的第二廠房，與新帝(SanDisk)於同地點攜手興建3D NAND Flash的全新廠房。兩廠期待投入資金興建全新廠房，能為後續帶來更大效益，在價格競爭中取得優勢。
東芝表示，興建新晶圓廠將有助東芝與新帝將現有2D NAND技術轉變至3D NAND技術，預計於2016年初量產3D NAND。
目前數據儲存中心系統開始選擇安裝固態儲存設備，不是結合轉動型磁碟設備(Spinning Disk)就是搭配全快閃存儲器陣列(All-Flash Arrays)。
固態儲存模組通常使用2D NAND技術，亦即芯片內的儲存單元平行排列於2D網格。至於以3D NAND技術製造的芯片，其儲存單元則是層層堆疊起來。3D NAND Flash效能將更為卓越，不僅增加50%芯片儲存容量，亦能延長設備使用壽命。
從2D NAND技術轉變為3D NAND技術是必然趨勢。未來2~3年，資料中心將開始使用3D NAND技術。不過，製造商的3D NAND模組生產之路並不會一帆風順。目前四大製造商皆已宣布興建3D NAND廠的計畫。不過，各大製造商興建方式與使用的技術組合皆不相同。
三星電子(Samsung Electronics)是最早宣布採用垂直堆疊3D V-NAND製程的製造商。2013年8月，三星宣布以現有廠房量產3D V-NAND。三星表示新產品寫入速度可達到原來產品的2倍，芯片包含24層堆疊的儲存單元。然而，儘管供應商亟欲測試此產品，三星至今仍未發送出V-NAND樣品。
現在東芝與新帝共同宣布興建主要生產3D NAND的製造廠，使用不同的製造技術。這兩大廠商認為目前廠房不足以研發生產3D NAND，投入大量資金興建新廠。
製造商除了要具備量產高品質3D NAND的能力，如何製造出具有價格競爭力的產品是另一大挑戰。三星認為利用現有廠房就能生產出具有競爭力的產品；東芝與新帝目前認為破舊立新才是可行之路。
而將與英特爾(Intel)合作的美光(Micron)，以及SK海力士(SK Hynix)則尚未明確表明其生產方式及量產時程。不論如何，目前可以肯定的是3D NAND將從2015年起逐漸取代2D NAND，至2016年價格將更具競爭力。
現在許多企業的資料中心已轉而使用全快閃存儲器陣列，某公司資料中心管理人員甚至表示，再不完美的應用程式(App)，搭配全快閃存儲器陣列都能運行得順暢。
許多管理人員認為，不久的將來所有主要資料中心都將轉而使用固態硬碟(SSD)設備。目前已安裝全快閃存儲器儲存系統的資料中心洞燭先機，可以準備迎向3D NAND技術。
來源： DIGITIMES
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