據《日經》Asian Review報導，日美超過20家芯片業公司正聯手開發名為MRAM的下一代"磁阻隨機存取存儲器"的芯片技術。這些企業包括東京電子、信越化學、瑞薩電子、日立、以及美國內存巨頭鎂光科技。它們將向位於日本北部的東北大學"抽調出數十名研究人員"，團隊領導人為遠藤哲夫(Tetsuo Endoh)教授，開始時間為明年2月。
與DRAM不同，MRAM採用的是磁存儲的手段(DRAM為電荷或電流)。
據《日經》報導，MRAM的功率消耗只有DRAM的1/3，而容量和寫入速度都可以達到DRAM的10倍。這使得MRAM成為了下一代智能手機和平板電腦的絕配。
至於產品商業化後的具體表現，還有待觀察，預計MRAM的量產會從2018年開始。更多有關MRAM的內容，可移步EngineerLive.com作進一步了解。
Source:《日经》Asian Review
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