全球記憶體在20奈米以下更先進製程微縮漸遇瓶頸，主因除投資金額龐大外，尚需視上游設備大廠ASML於極紫外光(Extreme Ultraviolet；EUV)曝光設備開發進展所致。儘管全球DRAM市場現僅剩三家大廠，但市場競爭依然劇烈，龍頭廠三星電子(Samsung Electronics)為維持其於記憶體產業的領先地位，已訂立新品搶先上市、突破技術瓶頸，及強化核心競爭力等三大策略。
在新品搶先上市方面，三星已於LPDDR2、3GB LPDDR3上市時間多次搶得先機，取得超額利潤，三星將持續採取較競爭者領先推出新品的策略，2013年底三星與SK海力士(SK Hynix)同時發表8Gb LPDDR4，2014年三星計劃儘早量產讀寫速度達3,200Mbps及採4顆20奈米級8Gb的4GB LPDDR4，以改善記憶體產品組合，進而提振獲利。
2013年三星領先業界將可讀寫次數較少但成本較低的3bit MLC(TLC) NAND Flash，自記憶卡擴大應用至固態硬碟(Solid State Drive；SSD)、內嵌式多媒體卡(embedded MultiMedia Card；eMMC)，並帶動東芝(Toshiba)等業者跟進，2014年三星將持續朝TLC NAND Flash兼顧效能與低成本邁進。
在突破技術瓶頸方面，為持續提升效能與容量，三星計劃於20奈米製程的DRAM導入矽穿孔(Through Silicon Via；TSV) 3D IC等技術，其NAND Flash則以擴充TLC NAND應用及發展垂直堆疊V-NAND為重點，三星計劃將V-NAND技術先用於需更大容量的企業級固態硬碟(enterprise SSD；eSSD)，其訂2014年V-NAND佔三星eSSD位元出貨比重逾6成目標。
另一方面，全球第二大NAND Flash廠東芝除跟進三星擴大TLC NAND Flash應用外，2014日本會計年度(2013年第2季至2014年第1季，以下簡稱年度)東芝已具備量產垂直堆疊架構NAND Flash「BiCS(Bit Cost Scalable)」的能力，其預定於日本四日市工廠第5棟Phase2正式量產BiCS NAND Flash，在此之前，東芝將推出1y及1z奈米製程技術，以提升其快閃記憶體效能與容量。
DIGITIMES Research觀察，2014年三星記憶體事業將以垂直堆疊為技術開發主軸，東芝亦於2014年第1季展開BiCS送樣，可看出全球前兩大NAND Flash廠於垂直堆疊NAND Flash發展腳步接近，且為因應製程微縮漸遇瓶頸，2014年此二家業者皆將加強發展NAND Flash垂直堆疊技術。
資料來源:來源： DIGITIMES
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