三星(Samsung)與東芝(Toshiba)將接連量產3D NAND快閃記憶體。三星日前宣布開始量產3D垂直(Vertical)NAND快閃記憶體--V-NAND，而東芝亦不落人後，宣布將於2014年初開始量產3D NAND快閃記憶體--BiCS，可望突破平面NAND快閃記憶體在10奈米(nm)以下製程節點的儲存格微縮瓶頸。
三星電子快閃記憶體產品與技術副總裁Jeong-Hyuk Choi表示，新發表的3D V-NAND快閃記憶體技術系旗下員工克服記憶體於半導體技術限制的成果，在量產全球首波3D V -NAND快閃記憶體後，三星將持續推出更高效能及高密度的產品。
三星V-NAND快閃記憶體可在單一晶片上提供128Gb的密度，為20奈米平面方案的兩倍。該特色系利用電荷擷取(Charge Trap)技術以及垂直互聯製程技術，完成垂直儲存格架構(Vertical Cell Structure)，以連結3D儲存格閘陣列。
三星V-NAND方案採用電荷擷取快閃記憶體(CTF)架構，在該架構的助力下，電荷將能暫時儲存在快閃記憶體非導電層(Non-conductive Layer)的氮化矽(Silicon Nitride)通道中，避免浮點閘極方案中相鄰儲存格互相干擾的弊病。
不僅如此，3D電荷擷取快閃記憶體架構可使NAND的可靠度、讀寫速度大幅提升。三星官方資料指出，3D V-NAND相較於傳統10奈米浮點閘極方案可提高至少二至十倍的可靠度，同時在寫入速度亦能有兩倍以上速度的理想表現。
事實上，積極發展3D NAND快閃記憶體技術的不僅三星。東芝總裁兼執行長(CEO)Hisao Tanaka指出，該公司亦計劃於本會計年度(Fiscal Year)結束前量產東芝的3D NAND快閃記憶體--BiCS (bit-cost scalable)，亦即2014年3月前東芝將迎頭趕上三星的技術發展。未來東芝在積體電路(IC)佔位面積上的表現將不比競爭對手差，業界切勿以量產時間判定東芝較三星的技術落後半年。
據了解，東芝計劃在BiCS NAND快閃記憶體量產前推出1Y及1Z奈米製程技術，較現今量產的19奈米製程技術領先一個世代以上。 Tanaka自信指出，在這個製程節點上，東芝即可以提出與三星3D NAND匹敵的技術，甚至在晶片佔位面積表現上領先對手。
儘管東芝對其NAND快閃記憶體製程信心滿滿，該公司仍坦承在1Z奈米世代後，製程將面臨物理限制，因此，2015年以後東芝將全面轉移至3D NAND快閃記憶體製程上，全力搶攻嵌入式NAND儲存以及固態硬碟(SSD)市場。
來源： 新電子
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