美光公司(Micron)表示將在18個月內為其搭載 DDR4 匯流排的 DRAM 記憶體模組增加 NAND 快閃記憶體(flash)。該公司預期,這種可封裝256Gb記憶體的混合式 DIMM (Hybrid DIMM) 將可支援微軟(Microsoft) Windows 系統,並實現超越當今搭載 PCI Express 的固態硬碟(SSD)效能,從而開啟更多新應用。

美光公司表示,此舉將賦予 flash在電腦記憶體層級中的全新定位。這種 Hybrid DIMM 雖然比 SSD 更加昂貴,但可提供更高效能──奈米級的記憶體接取速度,而非微秒(ms)級速度。

包括OEM與終端用戶正與美光洽談這種 Hybrid DIMM 的可能應用,包括記憶體內(in-memory)資料庫等。美光公司認為,該模組可望作為結合大型 DRAM 快取的更快速 SSD 、結合 flash 的 DRAM 模組,以及基於 DRAM 的 flash 儲存等應用。

這種 Hybrid DIMM 採用專用控制器作為主介面連接處理器,同時還搭配了另一個快閃記憶體控制器。 Windows 系統的支援也是實現這種混合式 DIMM 的關鍵。美光公司在過去六個月以來已針對該技術進行多次討論,但目前尚未發佈這部份的細節。

美光公司現正致力於開發針對 Linux 系統的支援,期望在推出 DDR4 產品時發佈相關軟體。

據傳三星已經表達對該項技術十分感興趣。但三星和微軟都並未對此加以回應。

此外,美光與其合作夥伴Gigatech Products已經出樣非揮發性的 DIMM 產品了,結合 flash 和超級電容器作為 DRAM 的備案,以因應電源發生故障的情況。而Netlist公司據稱已經推出類似的產品了。

從長遠來看,美光預計推出 Hybrid Memory Cub (HMC)──這種結合 3-D 記憶體與邏輯堆疊的版本適用於整合ASIC和FPGA。目前的的 HMC 的設計採用一種具有16個串列解串器(serdes)的介面,可以10Gb/s的速度執行,並可調諧至15Gb/s。預計在2016年時還將開發出頻寬達300GB/s的元件版本。

以下圖集將展現美光針對下一代DRAM版本的想法、各種產品在記憶體層級的定位與差距以及美光最近出樣的非揮發性DIMM:

美光將推搭載flash與DRAM的Hybrid DIMM  

美光解釋hybrid DIMM的概念

後DRAM時代的Hybrid DIMM

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  美光對於未來hybrid DIMM在儲存記憶體方面的應用以及開發中的產品概念

Hybrid DIMM超越SSDHybrid DIMM超越SSD

Hybrid DIMM可填補晶片上緩衝記憶體與PCI Express SSD之間的差距  

美光發表非揮發性DIMM  

美光發表非揮發性DIMM

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