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聯電(UMC)與新加坡半導體封測廠商星科金朋(STATS ChipPAC)共同發表號稱全球第一件在開放式供應鏈環境下合作開發的內嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技術。兩家公司所展示的 3D晶片堆疊，由Wide I/O記憶體測試晶片和內嵌TSV的 28奈米微處理器測試晶片所構成，並且達成封裝層級可靠度評估重要的里程碑。
此次的成功證明了透過聯電與星科金朋的合作，在技術和服務上結合晶圓專工與封測供應鏈，將可以順利實現高可靠度3D IC製造的全面解決方案。聯電與星科金朋經驗證的 3D IC 開放式供應鏈，為業界供應鏈間的合作，建立了實現共贏的重要範例與標準。在此一合作開發計畫中，聯電所提供的前段晶圓製程，包含晶圓專工等級細間距、高密度TSV製程，可順暢地與聯電 28奈米Poly SiON製程相整合。

此專案獲取的know-how也將運用於聯電 28奈米Hign-K/metal gate製程。而中段與後段製程部分，則由星科金朋執行晶圓薄化、晶圓背面整合、細微線距銅柱凸塊，與高精密度晶片對晶片3D堆疊等。