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瑞薩電子與台積電共同宣佈，雙方已簽署協議，擴大在微控制器(MCU)技術方面的合作至40奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程，以生產應用於下一世代汽車及家電等消費性產品的微控制器。

瑞薩電子先前已同意採用台積公司90奈米嵌入式快閃記憶體製程為該公司生產微控制器，在此40奈米微控制器合作案中，瑞薩電子將委託台積公司生產40奈米及更先進製程的微控制器。

瑞薩電子與台積公司將共同合作在MCU平台與製造所需的先進技術上取得領先地位，結合瑞薩電子支援高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS）技術與台積公司高品質技術的支援，包括先進的互補金屬氧化物半導體（CMOS）製程與靈活的產能調度。

此外，藉由將此MONOS製程平台提供給遍佈全球的其他半導體供應商，包括無晶圓廠（Fabless）公司及整合元件製造商（IDM），瑞薩電子與台積公司將致力於建置一個設計生態環境，並且擴大客戶群。

瑞薩電子資深副總岩元伸一表示：「為了達到全球業務持續成長的目標，我們有信心台積公司能夠提供我們產品迅速量產的卓越優勢，並且給予最大的彈性，因應市場劇烈波動時的需求。根據去年歷經日本大地震衝擊多條生產線與客戶業務之後所學習到的經驗，我們已經加快晶圓廠網路（Fab Network）的佈建，成為公司營運持續計畫（Business Continuity Plan, BCP）之中的一環。藉由此次的合作結合雙方領先世界的技術，我們將建造一個能夠為客戶穩定供貨的架構，身為微控制器市場的領導廠商，我們亦將推動市場成長，致力為MCU打造一個設計生態環境。」

台積公司全球業務暨行銷資深副總經理陳俊聖表示：「瑞薩電子是微控制器市場的領導廠商之一，這次的合作將協助提供瑞薩電子新產品推出時所需的效能，滿足其客戶對品質及可靠性的期待。」

基於雙方長久以來穩固的合作關係，台積公司提供瑞薩電子具有成本效益且非常可靠的製程能力，將快閃記憶體整合於單一微控制器上。相較於目前的90奈米製程，採用40奈米製程生產的微控制器產品具備更高速、更低功耗的優勢，而且晶片尺寸縮小逾50%，這些特性對於整合型微控制器的設計格外重要，該設計將邏輯晶片、記憶體、及其他系統零組件壓縮至極小的面積上。

在快閃記憶體單元（Flash Cell）中，每一個矽基（Silicon Base）上的電晶體都是由氧化物、氮化物以及氧化物三層組成，且在上方設有金屬控制閘極。瑞薩電子在MONOS快閃記憶體技術的應用方面，擁有20年以上的經驗，可提供IC卡專用的微控制器。基於在MONOS技術上優異的紀錄，瑞薩電子成功地延伸開發出適用於MCU內部快閃記憶體的分離閘(Split-Gate, SG)結構，此項新型的SG-MONOS快閃記憶體能夠實現微控制器高可靠性、高速、以及低功耗的優勢。