日本媒體日刊工業新聞29日報導,因半導體製程技術將於數年後來到10nm等級(10-19nm)水準,加上現有工廠內可供設置設備的空間已不多,故日本DRAM龍頭廠爾必達(Elpida)計劃於廣島工廠內興建乙棟新廠房,該棟新廠房並將導入次世代半導體製造技術「超紫外光(Extreme Ultra-violet,EUV)微影設備」,預估投資額為20億日圓左右。

報導指出,因EUV的實用化障礙不低,故爾必達將一邊透過現有的ArF液浸曝光設備持續進行線路的細微化工程、一邊摸索EUV的量產可行性,因此爾必達將不會對上述EUV新廠房的興建時間等細節定出明確的時間表。據報導,就曝光技術來看,隨者波長變短,矽晶圓上所形成的線路線幅就可變得更細,每片晶圓所能取得的晶片數也就可變得更多,而EUV的波長為13.5nm,為現行主流的ArF液浸曝光設備的1/10以下。


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