恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)宣佈其採用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將增添15款新產品並已開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面達到最佳平衡點,並具備業界最低的RDS (on) (25V和30V均為sub-1 mΩ型),是高性能、高可靠性開關應用的理想首選。傳統方法主要著眼於降低RDS (on) 和Qg,而恩智浦NextPower則採用超級接面技術使得低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡達到最佳化,進而達成強大的開關性能,減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗,同時提供傑出的SOA性能。此外,恩智浦LFPAK為最堅固的Power-SO8封裝,尺寸精巧,面積僅5mm x 6mm,可在惡劣環境下提供出色的功率開關功能。

技術聚焦:

· 恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在六個參數方面展現其優異性能:

  1. 低RDS (on) : 具備業界最低RDS(on)的Power-SO8封裝產品 ,在SYNC FET或功率OR-ing應用下具有低I2R損耗、傑出性能等特點
  2. 低Qoss,有利於減少漏極與源極引腳間的損耗,當輸出引腳上出現電壓變化時,亦可降低輸出電容 (Coss) 中的損耗能量
  3. 低Miller電荷 (Qgd),有利於減少開關損耗和高頻開關次數
  4. SOA具備絕佳性能可承受超載和故障條件
  5. 低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅動電路中的損耗
  6. 出色的額定接點溫度Tj(max),堅固的Power-SO8 LFPAK封裝為條件惡劣且需要高度可靠性的環境提供保障

· 主要應用領域包括同步降壓穩壓器、DC-DC轉換、穩壓器模組和功率OR-ing

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