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東芝已經發表了新的19奈米的NAND快閃記憶體。這是否意味著還會出現更小的體積?

每年儲存產業都會高唱:“終點已經近了!”這裡的終點指的是體積的縮減 - 意味著不會再出現更高的密度,更低的每位元成本與不斷成長的需求。

至少在過去十年來,磁碟業界人士都以非線性磁性已達到極限為理由,而認為密度提升將會很快達到盡頭。這個極限並未被突破,但工程師卻不斷找出新方式來克服。而且磁碟技術競賽仍在持續,最近的新技術包括熱輔助磁碟紀錄技術(HAMR)與位元規則介質(比特圖案媒體)。

類似的快閃記憶體的限制也高懸了好幾年:20奈米體積。在2008年時,SanDisk公司的執行長曾對是否能進展到20奈米以下提出了疑問:

NAND型快閃記憶體技術預期將會進展到20奈米,但是能否更進一步則是個疑問。 。 。 。

所以,東芝現在新發表的19奈米64GB的又該作何解釋?他們將會在本月推出樣品,並預計在第三季大量生產。

它對我們而言是個好消息:當 16顆晶粒被堆疊在一顆晶片封裝內時,意味著會有更小,更便宜與更高容量的快閃記憶體。它同時也意味著 NAND型快閃記憶體市場的競爭依舊存在,雖然在磁碟方面的競爭已經趨緩。不到兩週之前,英特爾與美光才剛發表了20奈米的快閃記憶體。

儲存人士所談論的極限並不只是物理方面,還包括了要達成體積縮減的經濟成本。

30年前,要建一座小而符合經濟成本的晶圓廠只要五千萬美元。但是今日則需要數十億​​美元,而且隨著新世代出現,價格還不斷攀升。

 開發 HAMR與位元規則介質所需的成本是磁碟業者整合的原因之一。它同時也是推動半導體整合的因素。我們可以預期快閃記憶體最終將會達到 10奈米的境界,但能否再下一步就很難說了。

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    Shacho San 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()