台灣嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volatile Memory)矽智財供應商力旺電子(eMemory)宣佈，其嵌入式快閃記憶體矽智財 NeoFlash 除可應用於 MCU 、消費性電子產品外，近期內已成功實現於觸控晶片(Touch Panel Controller IC)與電池容量偵測晶片(Gauge IC)之客戶產品上，並已進入試產階段。
力旺指出，因應消費性電子產品提高產品效能、降低功耗與縮小尺寸之需求，IC晶片嵌入使用 NeoFlash 矽智財將可大幅減少耗電量與整體系統產品之成本；以Gauge IC為例，嵌入使用NeoFlash矽智財將可有效儲存電池操作模式，記錄耗電程度，協助發揮電池之最佳效能，且因製程簡化，使其能較傳統內嵌式快閃記憶體節省至少25%的製造成本。
而力旺的NeoFlash因容量規格涵蓋範圍廣泛(16Kbits~2Mbits)，特別適合須具有高度運用彈性之智慧型手機、平板電腦、微控制器等應用市場，可積極協助客戶推出多樣化產品、滿足不同需求。該公司核心技術NeoBit、NeoFlash與NeoEE具有製程簡單、成本低廉與保密性佳的優勢，應用端廠商將力旺矽智財產品嵌入晶片後，只需對晶片進行庫存管理，不須如傳統外掛式快閃記憶體進行額外之庫存管理，也毋需擔心因庫存不足或產能受限而延誤產品上市時間，能具體縮短開發週期。
其次，嵌入式矽智財因經過封裝，不容易被盜拷，對於重要資訊的保存更有保障。而NeoFlash系列矽智財最大操作電壓僅需6伏特，與邏輯製程完全相容，故使用NeoFlash可將外加之光罩數自一般8至9道縮減至2至3道，降低製程複雜度與生產成本。
力旺表示，展望未來，可預期NeoFlash與NeoEE之營收貢獻將漸次發酵，挹注產品營收。自NeoFlash系列矽智財推出迄今，已深獲台灣、美國、日本等地客戶之肯定，目前0.18微米之邏輯與高壓製程均已可供量產，而0.13微米與0.11微米則預計於2011年底通過驗證與導入量產。
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