2017/06/30 西數首發96層3D NAND快閃記憶體：不止有TLC，還有QLC @ 真乄科技業的頂尖投資團隊

西數又點出了新的科技樹——全球首發了96層堆棧的3D NAND快閃記憶體，使用了新一代BiCS 4技術，預計下半年開始出樣。值得注意的是，西數的BiCS4快閃記憶體不僅會有TLC類型的，還將支持尚未公開上市的QLC類型。

西數全球首發了96層堆棧的BiCS4 3D快閃記憶體

3D NAND快閃記憶體將在2017年超越2D NAND快閃記憶體成為主流，四大NAND廠商也都量產了32層、48層堆棧的快閃記憶體，64層堆棧的NAND快閃記憶體也有三星、東芝、西數、IMFT在下半年量產，SK Hynix的則是72層堆棧。再下一代就要輪到96層堆棧了，不過這次首發的並不是預期中的三星，而是西數。

西數公司今天宣布推出96層堆棧的3D NAND快閃記憶體，相比目前64層堆棧的快閃記憶體使用的BiCS 3技術，96層3D NAND快閃記憶體使用的是BiCS 4技術，預計在2017年下半年出樣給客戶，2018年開始量產。

堆棧的層數越多，3D ANND快閃記憶體容量就越大，成本月底，不過西數目前的96層堆棧快閃記憶體核心容量為256Gb（官方未公布是MLC還是TLC），尚且不及64層堆棧的512Gb（TLC）核心容量。

BiCS 4技術最大的意義不只是堆棧層數更多，西數提到96層3D NAND快閃記憶體不僅會有TLC類型的，還會支持QLC，也就是4bit MLC快閃記憶體。早前我們也多次提到了QLC快閃記憶體的優缺點，但是從今年台北電腦展上得到的消息來看，QLC快閃記憶體已經是勢不可擋了，明年就會開始進入市場。

如今西數第一個表態會支持QLC快閃記憶體，三星、東芝、美光、Intel、SK Hynix等廠商的QLC快閃記憶體也不會太遠了。儘管QLC快閃記憶體的可靠性、壽命要比TLC更差一些，不過從實際測試來看，隨著容量的增加、技術的改善，TLC快閃記憶體並沒有想像中那麼容易寫死，現在TLC快閃記憶體已經是市場上的主流了，MLC快閃記憶體已經少見了。

資料來源:每日頭條