2014~2018年全球3D NAND Flash廠商別產能比重變化及預測

全球NAND Flash生產主要由南韓、日本及美國三大記憶體陣營廠商包括三星(Samsung)/海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)/英特爾(Intel)掌握。隨著1Y奈米(nm)以下2D NAND Flash製程難度加劇,後續發展已見瓶頸,近年廠商多透過3D NAND Flash技術發展,突破傳統2D NAND Flash在儲存容量提升及Cell儲存單元電荷幹擾等限制。

在3D NAND Flash發展上,三星量產進度及總產能最為領先,2013年即宣布量產24層3D NAND;其他廠商亦於2016年開始將部分2D NAND Flash產能轉產3D NAND Flash,陸續提高3D NAND Flash產能比重。

DIGITIMES Research預估,2017年全球3D NAND Flash產能可望較2016年大幅增加118%,2018年年增率亦將達64%。雖眾多廠商已跟進增產3D NAND Flash,但2018年三星在該領域產能仍可望維持領先。

註:其他廠商尚無具體3D NAND產能擴充計畫。
資料來源:DIGITIMES,2017/4


原文網址: Research - 2017年全球3D NAND Flash產能將增118% 三星維持領先 http://www.digitimes.com.tw/tw/rpt/rpt_show.asp?cnlid=3&v=20170412-73&n=1&wpidx=8#ixzz4e7upmt1d

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