Trendforce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,由於原廠先進製程品質問題頻傳,第二季標準型記憶體供貨吃緊情況未見舒緩,價格漲幅超乎預期。就目前的成交價格看來,第二季4GB DDR4模組合約均價來到27美元,相較第一季的24美元,上漲幅度約12.5%。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,進入第二季,全球記憶體市場仍呈現供貨吃緊的狀態,各PC OEM大廠正陸續與主要DRAM原廠議定新季度的合約價格。原先市場期待供給即將增加,但由於三星、美光等先進大廠在18或17奈米上都出現品質異常的狀況,使得供貨吃緊的態勢仍未得到紓解,第二季整體DRAM確定維持上漲走勢。

三星、美光製程轉進遇瓶頸,供貨吃緊短期難解

從第一季中開始,三星18奈米的標準型記憶體產品陸續進入量產階段,但由於先進製程的設計難度高,在生產的過程中容易與部分筆電的平台出現相容性相關的問題,導致產線的不良率過高,影響出貨。目前三星半導體正積極解決該異常狀況,但出貨不順的現況使供貨吃緊的態勢未能舒緩。

同時,美光的17奈米產品也在第一季中陸續送交樣品給客戶做測試,目前測試過程並不順利,原先設定在第二季度可能量產的目標恐將推遲。

SK海力士則因為目前沒有進行製程轉換,成為三大廠當中唯一沒有遭遇供貨不順問題的廠商。吳雅婷指出,三星和美光遭逢的狀況說明製程轉進至20奈米以下時,在設計、生產的難度都大幅提升,此外,也說明製程微縮能享有的位元成長越來越少,使得供貨端吃緊的態勢若要得到舒緩,還需花費更多時間。

吳雅婷進一步指出,整體而言,第二季記憶體價格持續向上的趨勢仍未改變。除標準型記憶體外,伺服器記憶體的漲幅也相當明顯,預估將達10%~15%。而行動式記憶體則為目前漲幅最小者,在中國智慧型手機的出貨動能尚未大幅轉強以前,預估第二季行動式記憶體漲幅僅約5%以下,其中eMCP產品因NAND同時缺貨的緣故,漲幅較高,約達5%。


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