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台灣磁性技術協會邀請產學人士，11月19日於工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術概況。產業界與學術界人士交流該項技術的看法，對於磁性存儲器(MRAM)的市場前景樂觀，並認為台灣產官學研有迫切攜手推動的必要性。
在市場發展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場會由非揮發性存儲器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統，而在重運算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及部分的儲存級存儲器(Storage-Class memory)市場。
在技術與量產進展上，除了剛完成IPO的Everspin已推出256Mb樣品外，另一家美國MRAM業者Avalanche技術副總懷一鳴表示，產品2017年便將問世，未來更將推出具備3D Xpoint堆疊結構的產品，可望打入現有的儲存級存儲器市場。
清大電子所教授張孟凡則指出，在2017年2月國際固態電路研討會(ISSCC)上，東芝(Toshiba)、日立(Hitachi)與SK海力士(SK hynix)共同發表的論文，已做出介面為LPDDR2的4Gb STT MRAM，離目前DRAM顆粒8Gb容量已經相距不遠。
國家研究院科技政策中心借鏡了日本2025年重點栽培技術，建立了各項科技類別的清單，並向國內專家發放問卷調查、與各學門召集人聚焦台灣應投入發展的主題，自旋電子技術是最後篩選出來的重點項目。
產業界代表半導體協會理事長盧超群表示，未來可望從自旋電子的層級上再次改寫存儲器甚至芯片的架構，3年前原本業界與學界便打算推動旗艦計劃，但可惜後來並未成功，如今已到了不得不起而行的時點。
盧超群也指出，大陸半導體投資基金規模超過新台幣6,000億元，產業競爭上相當不公平。台灣去年半導體產值貢獻超過新台幣2.1兆，若能仿效美國川普政府打算降企業稅救經濟的措施，將營利事業所得稅收固定少部分比重支持產業投入MRAM等創新技術，受益的會是政府與勞資雙方。
前茂德科技發言人林育中也呼應這項說法，建議經濟部及科技部能整合資源形成大型產學合作計劃，尤其材料以及電路設計是重點，而材料研究應仿效歐美國家大規模進行元素simulation的系統性篩選方式，找出可能的候選標的。
台大副校長張慶瑞則指出，台灣目前磁性研究集中在物理係與材料系，電機科係幾乎無人投入，過去磁性領域培養的人才不足，可能會成為台灣接下來產業發展的瓶頸所在。2003年前交大校長張俊彥曾提大型研究計劃，但可惜未能通過，當時若能成局如今局面將大不相同。台灣目前應先盤點整合現有的研發成果與資源。
清大工學院院長賴志煌也表示，除了材料領域以及元件製程的專家外，還需要電子電路、系統開發應用領域的投入，自旋電子領域的人力需求不會只有線性增加，而是呈現指數型成長，人才的多寡將是重要挑戰。
對於產學界的呼籲，科技部次長蔡明祺表示，任內已加強督導科技部管轄的各司，其中前瞻及應用科技司負責的是國家中長期的科技計劃，過去資源投入後的成果多為專利以及論文，對於國家的幫助有限，目前正在促進研究單位內的資源與產業共享，希望能夠帶動產業發展，自旋電子領域有高度商業化價值，有助促進產業發展，科技部將會對此研擬推動。
資料來源:Digitimes
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