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東芝8日發布新聞稿宣布，為了增產3D Flash Memory，將在四日市工廠內興建新廠房「第6廠房(Fab 6)」。

東芝指出，該座新廠房將作為3D Flash專用廠房，將分2期工程興建，其中第1期工程將在2017年2月動工、並預計於2018年夏天完工。

東芝指出，關於上述新廠房具體的設備導入、開始生產時間，以及產能、生產計劃等細節，將待今後評估市場動向之後再決定，且和Western Digital(WD)進行協商後，雙方今後也將進行共同投資。

東芝並指出，該座新廠房將導入活用AI 人工智能的生產系統、藉此提升生產效率。

據NHK報導，東芝上述新廠房的投資額約800億日圓。

為了對抗三星電子等競爭對手，東芝於今年3月宣布，將在今後3年內(2016年度-2018年度)總計砸下約8,600億日圓投資NAND型快閃存儲器(Flash Memory)，而上述新廠房就是該8,600億日圓投資計畫中的一環。

東芝7月27日宣布，已研發出堆疊64層的3D Flash製程技術，並自當日起領先全球同業開始進行樣品出貨。東芝指出，採用上述製程技術的256Gb(32層)產品預計將在2017年前半開始進行量產，主要用來搶攻數據中心/PC用SSD、以及智能手機/ 平板電腦/ 存儲卡等市場，且今後也計畫推出512Gb(64層)產品。

東芝表示，和48層產品相比，此次新研發的64層產品每單位面積的存儲容量擴大至1.4倍，且每片晶圓所能生產的存儲容量增加、每bit成本也下滑。

東芝統籌存儲器事業的副社長成毛康雄於7月6日舉行的投資人說明會上表示，將衝刺NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。

成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品佔整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。