2016年下半除東芝(Toshiba)就64層3D NAND Flash展開送樣出貨外，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等記憶體業者亦將陸續量產，將促使3D NAND Flash垂直堆疊最高層數自64層朝2017年的80層邁進。DIGITIMES Research觀察，由於乾蝕刻使用在64層以上更高堆疊層數的3D NAND Flash，其蝕刻速度與正確性可望優於濕蝕刻，將使三星於64層以上3D NAND Flash轉向乾蝕刻發展的可能性提升。

垂直通道(Vertical Channel)構造3D NAND Flash係指字元線(Word Line；WL)與位元線(Bit Line；BL)相互垂直，堆疊層數往BL方向增加。相較於WL與BL皆處同一平面、往上層層堆疊的簡單堆疊(Simple Stack)構造，垂直通道具備成本優勢，成為記憶體業者發展3D NAND Flash所採主流構造。

隨3D NAND Flash持續朝64層以上更高垂直堆疊層數邁進，製程中需貫通至底部的蝕刻厚度將較以往增加，且蝕刻精密度亦將提升。

比較濕蝕刻與乾蝕刻主要特性，濕蝕刻具備縱向與橫向同時蝕刻的效果，乾蝕刻則朝單一方向蝕刻，而濕蝕刻可運用只對被蝕刻物產生化學反應的材料，其蝕刻選擇性(Selectivity)優於乾蝕刻。

DIGITIMES Research觀察，乾蝕刻相對濕蝕刻適用於線寬較小的製程，如應用於64層以上3D NAND Flash，其朝單一方向貫通至底部的特性，可望達成優於濕蝕刻的蝕刻速度及正確性，且乾蝕刻藉由改良反應方式，提升其於蝕刻選擇性的表現，可望獲三星擴大採用於64層以上3D NAND Flash製程。

 

2013~2020年3D NAND Flash垂直堆疊可達成最高層數變化及預測
資料來源：南韓NH投資證券，DIGITIMES整理，2016/7

 



原文網址: Research - 3D NAND Flash朝垂直堆疊64層以上邁進　三星改採乾蝕刻可能性提升 http://www.digitimes.com.tw/tw/rpt/rpt_show.asp?cnlid=3&v=20160809-191&n=1&wpidx=8#ixzz4H21Dh600

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