據韓國經濟報導,大陸半導體產業在政府的強力支援下,清華紫光與武漢新芯採行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國等主要半導體業者也紛紛強化投資。

市調業者DRAM eXchange表示,全球半導體市場中,NAND Flash事業從2011~2016年以年均複合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購,成立長江存儲科技有限責任公司,未來可能引發NAND Flash市場版圖變化。

清華紫光擁有清華大學的人脈,在社會上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術方面的競爭力,兩者合併將為大陸記憶體產業發展開啟新的局面,同時也會對全球記憶體市場帶來莫大影響。

先前武漢新芯與美國材料半導體業者Spansion共同研發3D NAND Flash技術,擁有量產32層堆疊晶片的技術能力,目前武漢新芯則計劃投資240億美元興建晶圓廠。

面對大陸的積極追趕,三星電子(Samsung Electronics)持續進行西安工廠的相關投資,同時也加緊興建位於南韓的平澤工廠,欲將其打造為全球最大規模的單一產線,用於投入3D NAND Flash量產。三星在平澤廠區的投資金額上看15.6兆韓元(約140億美元)。

SK海力士(SK Hynix)在南韓利川興建的M14工廠,預定從2017年第1季起,進行3D NAND Flash二階段量產。目前M11與M12產線已用於生產3D NAND Flash,若再加上M14產線,3D NAND產能可望進一步提升。

東芝(Toshiba)與威騰(WD)合作,計劃在日本三重縣四日市新廠房的第二產線量產3D NAND產品;四日市工廠曾因2010年大地震中斷記憶體產品生產。至於美光(Micron)則計劃擴大新加坡10X工廠生產NAND Flash產品,同時與華亞科合作,加緊追趕東芝與三星。

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