三星電子(Samsung Electronics)與IBM攜手研發出11納米製程的次世代存儲器自旋傳輸(Spin Transfer Torque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示,預計在3年內展開MRAM量產,也引起了業界高度的注目。
 
韓媒亞洲經濟報導指出, STT-MRAM是可望取代傳統DRAM、SRAM的新世代存儲器技術。與目前的NAND Flash相比,寫入速度快上10萬倍,而讀取速度則是快上接近10倍。由於STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅動的非揮發性存儲器,不使用時也完全不需要電力。
 
MRAM的另外一項特徵是壽命時間無限。NAND Flash反覆讀寫後,壽命就會大幅縮短。雖然最近靠著技術的發展,已經延長了NAND​​ Flash的使用壽命,但仍未出現顛覆性的改善技術。
 
MRAM自2007年亮相,2011年三星電子買下擁有STT-MRAM技術的開發公司Grandis。而SK海力士(SK Hynix)則是與東芝(Toshiba)合作,共同研發MRAM技術。
 
然而,這樣比NAND Flash讀寫速度還快,又沒有壽命問題的MRAM卻有一個致命的缺點,那就是50納米以下的微細製程相當困難,費用又極為龐大。過去這段期間,半導體大廠如英特爾(Intel)、美光(Micron)等雖然積極進行MRAM的研發,但到目前為止,都未能研發出比NAND Flash更高整合度、更低生產價格的MRAM ,以致遲遲不能商品化。
 
在此次三星與IBM共同研發成功研發11納米MRAM之後,情況將有望大幅轉變。用在物聯網(IoT)裝置感測器、移動裝置等領域的機會將會無窮無盡。長期來看,更有望可以取代NAND Flash市場。
 
另一方面,三星與IBM除了在次世代存儲器事業上有合作以外,也傳出正在研擬於人工智能(AI)、半導體事業的合作方案。
arrow
arrow
    全站熱搜

    Shacho San 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()