三星電子(Samsung Electronics)連續24年蟬聯全球DRAM存儲器半導體市佔率第一,為半導體產業寫下新歷史;2015年市佔率達45.3%,營收突破200億美元,不但刷新自身紀錄,也成為存儲器價格持續下跌聲中,唯一還能獲利的業者。
 
據韓媒Money Today報導,市調機構IHS資料顯示,2015年三星DRAM營收為204.34億美元,較2014年186.61億美元成長9.5%,首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規模由462.46億美元萎縮至450.93億美元,但三星營收卻逆勢成長。
 
從整年度的市佔率來看,三星占45.3%創下歷史新高;排名第二的SK海力​​士(SK Hynix)為27.7%,營收124.89億美元,較2014年126.66億美元減少,但市佔率微幅增加。第三名美光(Micron)的營收滑落到90.70億美元,市佔率也從24.6%下降到20%。
 
三星電子在1992年開發出64Mb DRAM之後,連續24年蟬聯DRAM半導體全球市佔率第一。三星能穩坐龍頭地位的關鍵,在於擁有競爭對手難以超越的技術差距,這也是半導體市場價格持續滑落,三星仍能維持獲利的原因。
 
三星致力於突破微細製程的瓶頸,率先進入10納米級DRAM量產,欲以領先的技術競爭力掌握市場。繼成功開發18納米DRAM之後,下一個目標是開發10納米前段(1z)的DRAM技術。
 
業界人士表示,2015年三星採用20納米微細製程,成功銷售許多高附加價值產品。由於能生產競爭者做不到的高性能產品,即便市場情況不佳,這類產品仍能維持一定價格,受影響程度相對較小。
 
與DRAM同屬存儲器半導體的NAND Flash市場情況類似。三星藉由高速、低耗電的垂直構造V NAND技術,成為2015年第4季唯一NAND Flash營業額逆勢成長的業者。
 
相較於競爭者才剛進入21納米量產,準備提高21納米量產比重,主力產品仍停留在25~30納米階段,日前三星證實已啟動18納米8Gb DDR4 DRAM量產。因此業界認為,三星與對手的技術差距已經拉開至2年以上,在市場上一枝獨秀的情況可望延續至2016年。
 
三星計劃在2016年要將10納米級技術用於大部分DRAM產品,並且加速研發10納米中段(1y)與10納米前段(1z)的新一代DRAM技術。半導體事業負責人金奇南表示,有信心成功開發10納米前段的DRAM技術。
 
三星在半導體市場佔有的優勢,對南韓的經濟發展也有很大貢獻。2015年南韓半導體的出口規模為629.16億美元,佔整體出口(5,267.57億美元)比重的11.9%。
 
雖然南韓的整體出口規模萎縮,但半導體類別不減反增,寫下出口規模新高,是也2001年之後,存儲器類別佔整體出口比重最高的一次。
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