2016年3月22日訊—阻變式存儲器（RRAM）技術的領導者Crossbar公司今日宣 布正式進軍中國市場，並在上海設立新的辦事處。
Crossbar公司首席執行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業發展最快的市場，亦是絕大多數產品的製造基地。憑藉我們在中國深厚的風投實力和資源、新成立的本地辦事處以及行業領先的技術，我們相信將在中國消費電子、企業、移動、工業和物聯網等市場掀起新一輪電子創新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術用於中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使新的應用開發受益。”
通過集成更大的片上非易失性阻變式存儲器（RRAM）到智能卡、機頂盒、IP相機和監視器等一系列應用，Crossbar的客戶現正設計並推出低功耗、高安全性的解決方案。
Minassian博士還表示：“物聯網和可穿戴設備市場需要節能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術能提供片上編程和數據存儲的嵌入式內存模塊，也可單獨作為EEPROM內存，將是滿足這些需求的理想解決方案。”
Crossbar技術首先由中國出生的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發，他也是Crossbar的首席科學家和聯合創始人。盧博士擁有中國清華大學物理學士學位，以及德克薩斯州萊斯大學物理學博士學位。盧博士在RRAM領域積累了十二年的研究經驗，他先作為哈佛大學的博士後研究員，然後被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他是納米結構和設備行業的領先專家，包括基於雙端電阻開關設備的高密度內存和邏輯系統、神經元電路、半導體納米線設備和低維繫統中的電子輸運。
Crossbar RRAM技術被廣泛視為極有可能取代當前非易失性內存技術的有力競爭者，從而贏得這一價值600億美元的全球市場。Crossbar技術可在一個200平方毫米的芯片上存儲數個TB的數據，能夠將海量信息，例如250小時的高清電影，存儲在比郵票還小的集成電路上，並進行回放。憑藉簡單的三層結構，堆疊性和CMOS兼容性，Crossbar能在最新的技術節點下將邏輯和存儲集成到單芯片上，實現傳統或其他非易失性內存技術無可比擬的存儲容量。Crossbar擁有大容量和快速的優勢，並將成為下一代企業和數據中心存儲系統的理想選擇。
關於RRAM
RRAM 提供用於MCU、SoC和FPGA的低遲滯、高性能、低功耗嵌入式存儲器，面向低功耗和安全的物聯網、可穿戴和平板電腦、消費電子、工業和汽車電子市場。Crossbar技術能夠實現極高密度的存儲解決方案，包括：
• 在單芯片上實現太字節（terabyte）存儲
• 比DRAM高40倍的密度，並具備最高的性能和可靠性
• 100倍更快的讀取速度
• 比NAND快1,000倍的寫入速度
• 比NAND高1,000倍的耐久性
• 支持高溫環境，可用於數據中心和移動設備
Crossbar技術應用：
• 消費電子、手機、平板電腦—將你所有個人娛樂、數據、照片和信息存儲到口袋大小的設備中。提供快速存儲，回放，備份和歸檔。
• 企業存儲、SSD和雲計算—拓展SSD的可靠性和容量。提升企業、數據中心和雲存儲系統的性能。
• 物聯網；工業互聯網—為工業和連接應用程序，諸如智能電錶和恆溫器提供長達數年的電池壽命。擁有較大溫度範圍，使其能在極端炎熱的夏天和寒冷的冬天保持穩定。支持全新、高集成的SoC，可由鈕扣電池供電或通過太陽能、熱能以及簡單震動獲取電能。
• 可穿戴計算—支持新一代可穿戴計算，能在非常緊湊的尺寸和低功耗情況下，實現高容量存儲。
• 安全支付—能夠永久存儲安全應用所需的密碼和加密密鑰，覆蓋從大容量智能卡，到用於非接觸支付的高端移動處理器。
Crossbar的全球投資者包括：Artiman、Correlation Ventures、凱鵬華盈（KPCB）、Tyche Partners、TAO Capital Partners、密歇根大學；在中國投資者包括： CBC寬帶資本、元禾控股、北極光創投、賽富和Korea Investment Partners Co., Ltd。
關於Crossbar
Crossbar Inc.是RRAM技術的領導廠商，被公認為是於未來存儲系統上取代傳統閃存技術的領跑者。Crossbar RRAM能夠在郵票大小的芯片上實現太字節（terabyte）存儲，而足夠低的功耗可大規模運用於物聯網，從而易於被定製到一系列應用中。從可穿戴應用的SoC嵌入式存儲，到雲數據中心的超高密度SSD，Crossbar正在催生一個存儲器創新的新紀元。更多詳情，請訪問官方網站www.crossbar-inc.com
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