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DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，2016年雖然受惠於來自智慧型手機及伺服器的需求影響，單機搭載容量會有顯著提升，各項終端產品仍難有爆發性的發展。DRAMeXchange預估2016年整體DRAM需求成長率約為23%，供給位元成長約為25%。市場仍維持小幅供過於求，DRAM單價持續下滑，各家獲利能力將大幅取決於製程轉進所造成的成本下降以及產品組合的調配。

2016年DRAM產業趨勢分析如下：

年度位元產出來自20奈米製程轉進，晶圓投片量大約持平

吳雅婷表示，DRAM屬寡占市場型態，各供應商在產能的擴張上皆有所節制，相較仍處於完全競爭的市場型態的NAND Flash健康許多。2016年的位元產出主要是來自於SK海力士(Hynix)與美光半導體(Micron) 20/21奈米的轉進，晶圓產能上，除三星(Samsung)的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠M14會陸續啟用之外，2016年DRAM總投片量與2015年呈現持平。

DDR4正式取代DDR3成為市場主流

隨著市場需求轉變以及20奈米逐漸成熟，DDR4的生產比例越來越高。2015年由於英特爾(Intel)平台支援度的問題，DDR4的導入主要發生在伺服器端，並且已經率先在第四季取代DDR3成為主流。DRAMeXchange預估，個人電腦/筆記型電腦端由新平台Skylake開始採用DDR4，將會在2016年第二季起放量，成為主流解決方案。

行動式記憶體與伺服器記憶體生產比重持續提升

智慧型手機受惠於20nm製程產出的LPDDR4普及度越來越高，高階旗艦機種(除Apple以外)以3GB/4GB為標準規格。吳雅婷指出，2016年第二季起就會有單機DRAM搭載容量上達6GB的機種問市，大幅增加行動式記憶體的需求動能。伺服器記憶體亦然，受惠於20nm製程產出的DDR4普及度升高，在高容量32GB/64GB模組成本降低，促使廠商策略性調降價格以刺激需求，有助於伺服器記憶體生產比重提升。

中國進軍DRAM意圖仍在，但進入門檻高，難有進展

2016年中國持續發展半導體的策略不變，仍將有許多併購發生，記憶體方面更是中國發展的重點項目之一。吳雅婷進一步表示，與NAND Flash較為混亂的市場態勢相較，DRAM市場三強鼎立的狀態結構穩固，引進新的競爭者恐怕導致更嚴重的供過於求，因此三強與中國合作可能性低，使得中國欲進軍DRAM產業的困難度遠高過其他半導體產品類別。