最近有位半導體產業分析師針對英特爾(Intel)將在下兩個製程世代使用的技術，提出了大膽且詳細的預測；如果他的預言成真，意味著晶片龍頭英特爾又將大幅超前其他半導體同業。
這位分析師David Kanter在他自己的網站發表一篇分析文章(參考連結)，指出英特爾將會在10奈米節點採用量子阱(quantum well) FET；這種新的電晶體架構將會採用兩種新材料──以砷化銦鎵(indium gallium arsenide，InGaAs)製作n型電晶體，以應變鍺(strained germanium)製作p型電晶體。
若預測正確，英特爾最快在2016年可開始生產10奈米製程電晶體，且功耗能比其他製程技術低200毫伏(millivolts)；Kanter預期，其他半導體製造業者在7奈米節點之前難以追上英特爾的技術，差距約是兩年。Kanter指出，英特爾可能還要花一年多的時間才會公布其10奈米製程計畫，而他自認其預測有八九成的準確度。
英特爾曾在2009年的IEDM會議論文透露其正在開發的InGaAs製程技術
Kanter的分析文章是根據對英特爾在年度IEEE國際電子元件會議(IEDM)發表的數十篇篇論文研究所得，此外還有英特爾與晶片製造相關的專利；他在接受EETimes美國版訪問時表示：「我所看到的一切都朝這個方向發展；問題應該不在於英特爾會不會製作量子阱FET，而是他們會在10奈米或7奈米節點開始進行。」
「在電晶體通道採用複合半導體材料並非只有英特爾一家在研究，但顯然到目前為止沒有人做到像英特爾所發表的這麼多；」Kanter指出：「英特爾在鍺材料方面的論文與專利很少，但該技術較廣為人知。」此外他預期英特爾會採用純鍺，不過也可能會透過先採用矽鍺(silicon germanium)來達到該目標。
Kanter並表示他在發表分析文章之前，曾提供內容給英特爾看；不過該公司婉拒發表任何相關評論。
編譯：Judith Cheng
(參考原文： Intel's 10nm Secrets Predicted，by Rick Merritt)
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