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Intel今年已經開始量產14nm工藝,下一代工藝將是10nm,Intel原本計劃在2015年底開始投產10nm工藝。隨著半導體工藝進入10nm內,新一代EUV光刻設備也愈加重要,這還要看荷蘭ASML公司的研發進度了。日前該公司公佈了Q3季度財報,其中提到他們將在2016年10nm工藝節點上正式啟用EUV光刻工藝,首個客戶普遍認為是Intel公司。

荷蘭ASML公司是全球最大的半導體裝備製造公司,他們兩年前推出了試驗型EUV光刻設備NXE:3100,量產型則是NEX:3300B,該設備每天的晶圓產能已經達到了500片,不過這個產能跟當初提到的每小時70片晶圓相差還是很多。
截止到目前,總計有6台NXE:3300B設備通過了認證並出貨,總訂單量是11台,其中3台去年出貨,5台是已經出貨或者正在出貨,剩下的3台預計在2015年升級到NEX:3350B型號。

ASML還提到了他們正在跟一個客戶合作,準備在2016年的10nm中期節點安裝EUV光刻設備,這意味著兩年後的10nm節點上我們會正式迎來EUV工藝,談論了多年的技術終於開始量產了。

ASML並沒有公佈這個客戶的名字,不過業界普遍認為這是Intel公司,Intel不僅是ASML公司的大客戶,也是大股東之一,2012年投資41億美元獲得了ASML公司15%的股份,對推動EUV光刻工藝也是最積極的,當然,Intel也是最有實力和財力的,首先應用EUV工藝並不意外。

不過EUV工藝拖延了這麼多年,Intel對此早就淡定了,此前他們表示就算沒有EUV光刻工藝,他們也懂得如何在7nm工藝製造芯片,言外之意就是有EUV工藝更好,沒有EUV也行的,英特爾不差這點。

按照英特爾的路線圖,2017年就要進步到7nm工藝,不知道在這樣發展下去矽原子的物理極限怎麼突破,要輪到新材料出場了麼?

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    Shacho San 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()