引線鍵合和3D TSV封裝技術比較
基於TSV的4層堆棧
三星電子今日宣布，已開始正式量產業內首款基於3DTSV（throughsiliconvia,矽通孔）封裝技術的64 GB DDR4 RDIMM DRAM。該款高密度高性能的內存模塊不僅能推動企業級服務器和雲計算環境下應用程序的不斷發展，也會在數據中心解決方案的進一步多樣化上起到關鍵性作用。
新推出的RDIMM內存由36個DDR4DRAM芯片組成，而每片芯片又包含4顆4Gb的DDR4DRAM裸片。這款低能耗的芯片採用了三星最尖端的20納米級製程技術和3DTSV封裝技術。
三星電子存儲芯片事業部內存市場營銷負責人白智淏副總裁表示：“通過推出採用3DTSV技術的尖端解決方案，三星力求加強在DRAM市場的競爭優勢，並進而推動全球DRAM市場的增長。預計今年下半年下一代CPU即將問世，而DDR4市場規模也有望隨之顯著擴大。此次推出的採用3DTSV封裝技術的高效節能型DDR4內存模塊，正是三星領先主流DDR4市場的又一新作。”
繼去年首次量產3DV-NAND閃存之後，三星此次量產3DTSV內存模塊標誌著存儲技術史上的一個新的里程碑。如果說3DV-NAND技術實現了單顆裸片上各個存儲單元如高樓般的垂直堆疊結構，那麼創新性的3DTSV封裝技術則實現了多層堆疊的裸片之間的垂直互連。通過此次推出全新的TSV內存模塊，三星更加穩固了其在“3D內存時代”的科技領先地位。
為了成功製造一個3DTSVDDR4DRAM封裝，需要將DDR4裸片研磨至厚度僅為數十微米，並打出數百個通孔。有源電路直接穿過這些通孔，而裸片之間則通過有源電路實現垂直互連。因此，與引線鍵合封裝技術相比，採用TSV封裝技術的64GB內存模塊速度最高提升一倍，而能耗也降低約一半。
今後，三星有望採用3DTSV技術將DDR4裸片堆疊4層以上，製造出密度更高的內存模塊。鑑於服務器市場正加速從DDR3向DDR4過渡，預計此舉將加快高端內存市場的擴大。
自2010年和2011年分別成功研發出基於3DTSV技術的40納米級8GBDRAMRDIMM和30納米級32GBDRAMRDIMM以來，三星一直在不斷改善3DTSV技術。今年，三星專為TSV封裝開始運行了一套新的製造系統，用來量產新型服務器用內存模塊。
據Gartner的研究報告，全球DRAM市場規模預計將於年內在金額上達到386億美元，在容量上達到298億Gb。其中服務器市場將約有67億Gb，約佔今年整個DRAM生產規模的20%以上。
來源： cnBeta.COM發布者
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