南韓SK海力士周四宣布，該公司已開發出全球第一款採用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via，TSV)技術的記憶體晶片，將大幅提升執行速度與效率。
海力士表示，該款高頻寬記憶體晶片的執行速度達到每秒128GB，較GDDR5晶片快上四倍，而耗電量僅1.2伏特，省電率達40%。
這款由海力士與美國超微（AMD）合力打造的尖端記憶體晶片，以TSV技術結合了四顆40奈米級的DRAM晶片，使DRAM晶片能以更高的電力效能進行連接。
海力士表示，採用TSV技術的記憶體晶片可用於要求高繪圖效能的裝置上，亦可應用在超級電腦與伺服器，預計將於明年下半年投入量產。
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