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目前分類：記憶體/儲存技術/RRAM/Xpoint/MRAM/FRAM (790)

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2017-12-11 2017/12/11 擴產與淡季影響 2018/Q1 NAND Flash價格恐走跌 (1) (0)
2017-12-07 密碼文章 2017/12/07 嵌入式存儲STT-MRAM取代NOR Flash大勢所趨 (1) (0)
2017-12-06 密碼文章 2017/12/06 三星宣布全球首發量產512GB eUFS閃存 (0) (0)
2017-12-06 密碼文章 2017/12/06 紫光32層3D NAND晶片成功　明年挺進64層128G技術 (0) (0)
2017-11-26 密碼文章 2017/11/26 2018~2025 年傳統硬碟市場分析 (3) (0)
2017-11-16 密碼文章 2017/11/16 三星擴產NAND Flash IC Insights估恐過剩 (1) (0)
2017-11-08 密碼文章 2017/11/08 MRAM實現超快讀寫速度方法 (0) (0)
2017-10-28 密碼文章 2017/10/28 固態硬盤市場隨電競熱潮帶動SSD將成存儲主流技術 (0) (0)
2017-10-27 密碼文章 2017/10/27 2018年全球存儲器產業發展趨勢 (0) (0)
2017-10-25 密碼文章 2017/10/25 快閃記憶體如何進化以符合車用電子的功能安全需求？ (0) (0)
2017-10-14 密碼文章 2017/10/14 WD:MAMR 微波輔助磁性錄寫技術，儲存密度每平方英寸 4Tb ，一顆硬碟容量40TB！ (0) (0)
2017-10-12 密碼文章 2017/10/12 MRAM帶動STT記憶體策略轉型 (1) (0)
2017-10-11 密碼文章 2017/10/11 3D NAND微縮極限將近，誰將會是取代者。 (1) (0)
2017-10-07 密碼文章 2017/10/07 2018年NAND Flash供給年增42.9%，供需由緊俏轉爲平衡 (1) (0)
2017-09-28 密碼文章 2017/09/28 ReRAM SSD加速資料中心存取效能 (2) (0)
2017-09-26 密碼文章 2017/09/26 GLOBALFOUNDRIES宣布與Everspin推出22FDX FD-SOI 平台的嵌入式磁性隨機存儲器 (2) (0)
2017-09-22 密碼文章 2017/09/22 DDR5可望成為下一代主流記憶體介面 (1) (0)
2017-09-14 密碼文章 2017/091/4 Samsung increases production of industry’s fastest DRAM ─ 8GB HBM2, to address rapidly growing market demand (1) (0)
2017-09-14 密碼文章 2017/09/14 8GB HBM2 from Samsung becomes a standard for innovative graphic cards (2) (0)
2017-09-08 密碼文章 2017/09/08 新型磁自旋材料可望成為記憶體的未來 (1) (0)
2017-08-24 密碼文章 2017/08/24 迎接嵌入式存儲器轉型 全球晶圓代工大廠投入MRAM研發 (0) (0)
2017-08-22 密碼文章 2017/08/22 MRAM接班主流記憶體指日可待 (4) (0)
2017-08-20 密碼文章 2017/08/20 大陸存儲器封測需求大　矽品重返標準型DRAM (0) (0)
2017-08-18 密碼文章 2017/08/18 首款Gbit MRAM晶片亮相！ (0) (0)
2017-08-17 密碼文章 2017/08/17 下一代手機快閃記憶體UFS 3.0性能翻倍 (0) (0)
2017-08-11 密碼文章 2017/08/11 EverSpin的宣布千兆級芯片ST-MARAM (7) (0)
2017-08-09 密碼文章 2017/08/09 3D NAND Flash推助 　PCIe SSD加速入主消費筆電 (11) (0)
2017-08-09 密碼文章 2017/08/09 STTMRAM is moving to large scale commercialization (6) (0)
2017-07-15 2017/07/15 江波龍率先發布世界上最小尺寸PCIe SSD (55) (0)
2017-07-12 2017/07/12 儲存介面改朝換代 PCIe/SD 6.0/UFS 2.1各擅勝場 (32) (0)
2017-07-07 2017/07/07 MRAM的進展與研發方向 (39) (0)
2017-07-04 2017/07/04 ReRAM即將跨入3D時代 (25) (0)
2017-06-30 2017/06/30 西數首發96層3D NAND快閃記憶體：不止有TLC，還有QLC (17) (0)
2017-06-30 2017/06/30 東芝記憶體公司開發出世界首款QLC 3D快閃記憶體 利用BiCS FLASH™晶片在單一封裝內實現1.5TB的全球最大容量 (20) (0)
2017-06-30 2017/06/30 次世代記憶體eMRAM蓄勢待發 (8) (0)
2017-06-23 2017/06/23 64層堆疊是3D NAND的「甜蜜點」？ (33) (0)
2017-06-13 2017/06/13 NVMe發威/3D NAND打底 PCIe解放固態硬碟效能 (54) (0)
2017-06-03 2017/06/03 Model for 2-D materials based RRAM found (0) (0)
2017-06-01 2017/06/01 SK Hynix, Micron Announce 10-nm DRAM Development Plans (5) (0)
2017-06-01 2017/06/01 2017第一季NAND Flash品牌廠商營收排名 (58) (0)
2017-05-29 2017/05/29 Intel 3D XPoint 儲存黑科技顯微鏡下露出真面目 (54) (0)
2017-05-25 2017/05/25 TrendForce：第一季企業級SSD出貨量排名，英特爾穩坐龍頭寶座，三星緊追在後 (46) (0)
2017-05-23 2017/05/23 Future DDR5 Memory in 2018 (24) (0)
2017-05-08 2017/05/08 TrendForce：智慧型手機記憶體升級需求帶動，LPDDR4X成2017年行動式記憶體的供貨主流 (35) (1)
2017-05-04 2017/05/04 鐵電憶阻器為電子腦實現人工突觸 (19) (0)
2017-05-02 2017/05/02 MRAM lowers system power (27) (0)
2017-04-29 2017/04/29 Samsung 即將發表新一代 MRAM 記憶體，存取速度快 NAND 1,000 倍, 但容量僅 ? MB... (125) (0)
2017-04-25 2017/04/25 TrendForce： 3D-NAND Flash第三季產出比重將突破50%大關，正式成為主流製程 (46) (0)
2017-04-15 2017/04/15 2017年下半年DRAM供應量的上漲可能導致平均售價下降，DRAM市場週期性放緩的必然開始。 (87) (0)
2017-04-13 2017/04/13 2017年全球3D NAND Flash產能將增118% (59) (0)
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