真乄科技業的頂尖投資團隊

隨著印度的半導體製造計劃逐漸面臨發展瓶頸，印度政府已經展開了一項振興計劃，期望在國內打造至少兩座晶圓廠。

Altera公司宣佈，公司在積體電路中封裝了有史以來最多的電晶體，在半導體技術上建立了業界里程碑。Altera的28-nm Stratix V FPGA是業界第一款具有39億個電晶體的半導體元件，達到這個功能水準後，系統設計人員將可實現前所未有的性能。

高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化矽 (Silicon Carbide; SiC) 功率電晶體企業TranSiC公司，以擴展其技術領先地位。
這項收購為快捷半導體帶來具有充分驗證之業界領先效率、可在超廣溫度範圍下有出色性能、以及優於MOSFET和JFET技術的卓越性能之雙極SiC電晶體技術。快捷半導體同時藉此獲取經驗豐富的SiC工程師團隊和科學家團隊，以及多項SiC技術專利。

IBM最近展示了一顆新的石墨烯(graphene)電晶體，它的時脈達到155GHz，突破了去年所創的100GHz的標竿。這項突破之所以能成功，乃是因為電晶體是架在「類似鑽石的碳」基板上，它本身則是由矽晶圓層疊而成。這個類鑽石層是非極性的電介質。這意味著它並不會困住電極，而且可以處理散射問題，散射會讓石墨烯的電子特性降低。散射會大幅限制電子與電洞的速度，它主要是因為石墨烯與電介質基板之間的互動所產生。根據PC World指出，IBM的研究人員表示該公司的研究也顯示出，這些電晶體也可以使用「標準半導體製程」來製造，使得石墨烯元件的商業化生產的可行性大幅提高。IBM的研究人員Phaedon Avouris表示，石墨烯還有更多可能性。「我們目前所取得的頻率是以CVD-graphene所生產的電晶體中最高的。然而，它並沒有達到最高限制，因為我們所使用的CVD-graphene品質只是一般的而已。」

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印度對電子產品的需求迅速上升，這股趨勢也拉抬了當地的半導體消耗量。業界觀察家們普遍認為這對印度極具正面意義，有助於為印度成為主要積體電路製造中心，就如同目前印度位居主要軟體開發中心的地位。

美國無晶圓半導體公司 Black Sand Technologies 發佈效能可與砷化鎵(GaAs)匹敵的 CMOS 3G RF 功率放大器(PA)產品線，據表示，新推出的 BST34 和 BST35 系列效率均達到了40%，最大輸出功率則可達到28dBm。該產品預計今年2月出樣。

BST34 是專門設計來取代現有3G砷化鎵(GaAs) RF功率放大器的簡易方案，因此功能與腳位與其完全相容。從砷化鎵轉移至CMOS可使行動裝置製造商獲益於更可靠的供應鏈、更高可靠性及更低成本。

晶圓代工業者 GlobalFoundries 與其 EDA 、IP供應商夥伴共同宣佈，已經完成 28奈米 CMOS製程的數位設計流程驗證；該製程命名為「超低功耗(super low power，SLP)」，包含閘優先(gate-first)的高介電金屬閘極堆疊(high-k metal gate stack)。

GlobalFoundries 表示，現可讓客戶生產已通過驗證的 28奈米設計，並可提供一系列包括合成(synthesis)、佈線、驗證與可製造性設計(DFM)在內的工具與設計解決方案；其 EDA 與IP包括Synopsys、Metor、Magma、Apache、Cadence與ARM。

FD-SOI is making the move towards industrialization. In this issue of ASN, experts from IBM, ST, Hitachi, Leti and Soitec detail their approaches.

International SEMATECH (ISMT)於公元2005年開始，將三維導線互連技術(3D Interconnects)列為首要挑戰性技術之排名榜上。發展TSV技術之主要驅動力在於導線長度之縮短，以提升訊號與電力之傳輸速度，在晶片微縮趨勢下，這些都是最具關鍵性之性能因素。TSV製程技術可將晶片或晶圓進行垂直堆疊，使導線連接長度縮短到等於晶片厚度，目前導線連接長度已減低到70μm。而且可將異質元件進行整合(Heterogeneous Integration of Different ICs)，例如將記憶體堆疊於處理器上方，由於TSV垂直導線連接可減低寄生效應(Parasitic) (例如：雜散電容、藕合電感或電阻洩露等)，可提供高速與低損耗之記憶體與處理器界面。如果搭配面積矩陣(Area Array)之構裝方式，則可提高垂直導線之連接密度。本文將根據最近所發表之相關文獻[1~16]，針對TSV主要關鍵製程技術進行系統性探討，內容包括：導孔的形成(Via Formation)、導孔的填充(Via Filling)、晶圓接合(Wafer Bonding)、及各種TSV整合技術(Via Fist, Via Last)等。

NEC宣佈針對該公司所擁有的奈米碳管(carbon nanotube)技術專利，與美國SouthWest Nanotechnologies (SWeNT)達成了授權協議。SWeNT計畫推動奈米碳管製造技術商業化，並選擇與NEC進行合作。

SWeNT為奈米碳管材料製造與供應商，其生產技術採用來自美國奧克拉荷馬大學(University of Oklahoma)開發的「CoMoCAT製程」。CoMoCAT製造法是透過使包含鈷(Co)等VIII族金屬，以及鉬(Mo)等VIa族金屬的觸媒，與含有碳的氣體接觸製造奈米碳管的方法。