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目前分類:記憶體/儲存技術/RRAM/Xpoint/MRAM/FRAM (790)

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甲骨文(Oracle)公司於「2011年儲存網路世界大會」(Storage Networking World;SNW)中,擴展Oracle Sun ZFS整合解決方案,支援Oracle Exadata 資料庫機器備份與還原功能,並整合於Oracle虛擬桌面基礎架構,以支援完整、開放的合成技術堆疊。

透過強化其 Oracle Exadata 資料庫機器的備份及還原功能,目前 Oracle Sun ZFS 儲存設備能直接連接到 Oracle Exadata InfiniBand 光纖架構,以簡化部署,同時較傳統NAS系統縮短50%的備份及還原時間。Oracle 虛擬桌面基礎架構現可透過快速的 iSCSI 配置,提供與 Sun ZFS 儲存設備獨特的整合功能,達成自動化桌面配置及加速部署虛擬桌面。

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全球快閃記憶體廠商SanDisk(宣佈推出採用全球最先進、19奈米記憶體製程技術之 64GB x2 (2-bits-per-cell)記憶體晶片。這項最新的技術將有助SanDisk日後針對手機、平板電腦與其他裝置,推出兼具高容量與小尺寸的嵌入式可抽取儲存裝置。
SanDisk計畫在本季將此19奈米64GB X2晶片送樣,並自2011年下半年開始量產。屆時,SanDisk也會將推出19奈米X3 (3-bits-per-cell)晶片。

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Seagate 併購 Samsung 的硬碟部門  
全球最大硬碟廠希捷科技(Seagate)昨正式宣布以總值13.8億美元(402億元台幣)現金與股票,接手三星電子(SAMSUNG)硬碟事業,可望鞏固龍頭廠地位,三星則成持有希捷9.6%股權的第2大股東。

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瑞晶(4932)昨天宣布,已成功試產出使用爾必達(916665)開發30奈米製程的2Gb DDR3 DRAM晶片,良率符合預期,是國內第1家進入30奈米世代的DRAM廠,將加速進行製程轉換,預計於下半年全面導入量產,年底完成8.5萬片轉換。
瑞晶表示,此次試產成功之2Gb DDR3 DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取記憶體)產品,係使用爾必達所開發,低耗電、高效能之全新30奈米製程技術,每片晶圓產出晶粒量比40奈米製程多出45%,可有效降低生產成本。

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Intel Thunderbolt

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爾必達周四宣布已經完成開發智慧型手機用4G DRAM晶片,預計在6月開始量產,加入三星電子成為全球唯二的大容量省電記憶體獨門供應廠。

爾必達6月將於廣島廠開始生產這款高階新晶片,預計下一個會計年度(2012/3-2013/3)將貢獻營收1000億日圓(12億美元),約當於爾必達上一財年(2011/3止)年度營收預測值的五分之一。

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華邦電子(Windbond)以65奈米 Buried World Line 製程,推出四款512Mbit的Mobile Ram,使行動記憶體除了行動電話產品應用領域之外,更擴展至手持消費性及行動資料通訊等市場,並有助於使其應用產品市場更加完備。

W989D6C 與 W989D2C 為 512Mb mobile LPSDR 行動記憶體,分別支援 x16 及 x32 資料寬度。主要功能為 Sequential 或 Interleave burst、166MHz 工作頻率、標準的 Self Refresh Mode、具省電目的的Partial-Array Self Refresh (PASR)、以及Automatic Temperature Compensated Self Refresh (ATCSR)、Deep Power-Down (DPD)、可程式 output buffer driver strength 。適用於手持多媒體播放器、電子書閱讀器、車用產品、手持消費性電子產品、掌上型遊戲機與其他手持裝置。

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記憶體大廠勝創,首創將“奈米散熱技術”導入記憶體模組後,又再次推出最大容量8GB的(雙通道)納​​米遊戲拉姆的DDR3 2400超頻記憶體模組,這也是全球第1支最高容量,最高速而且不需要散熱片即可運作的超頻記憶體。經實驗測試發現,相較於一般的散熱片,其能有效提升散熱效能10%,運作時脈可達到 2400兆赫,且時序規格為 10-11-10-30,高速傳輸頻寬可達 19.2GB/sec,是目前唯一能滿足玩家享受高速且順暢的最高容量的記憶體。
勝創於 2011年領先市場推出大容量“納米遊戲拉姆的DDR3 2400 8GB的”雙通道超頻記憶體模組,外觀簡約俐落卻擁有絕佳的散熱能力與極速運作效能,對於超頻及遊戲玩家來說,記憶體不只追求速度快,系統的穩定度與相容性,也都是重要的考量因素。勝創納米遊戲拉姆嚴選優質的芯片顆粒以確保其具有良好的超頻性能,並採用雙面生產技術,在PCB的前後兩面各排列了8枚芯片顆粒,每枚顆粒容量為 256MB的,其可完全支援英特爾 P55晶片組,晶片組會自動讀取模組中的社民黨(串行存在檢測),自動執行超頻,搭配勝創自行設計的電路板模板,使電子線路間的彼此干擾降到最低,並發揮強大的效能,讓記憶體在高頻率時達到極速運作! ,玩家在遊戲時也不會發生系統突然出現藍屏(藍屏死機)或重啟的狀況。

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英特爾(Intel)日前推出第三代固態硬碟 SSD 320 系列,採用25nm NAND快閃記憶體製程技術,提供40GB、80GB、120GB、160GB,以及更大容量的300GB與600GB版本,可支援桌上型/筆記型電腦或伺服器資料中心的儲存應用,且售價較目前的 Intel X25-M 便宜100美元。

 

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台灣嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volatile Memory)矽智財供應商力旺電子(eMemory)宣佈,其嵌入式快閃記憶體矽智財 NeoFlash 除可應用於 MCU 、消費性電子產品外,近期內已成功實現於觸控晶片(Touch Panel Controller IC)與電池容量偵測晶片(Gauge IC)之客戶產品上,並已進入試產階段。

 

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三星開始量產4Gbit的LPDDR2型DRAM

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應材發佈22nm以下3D電晶體製造技術突破

應用材料(Applied Materials)公司日前發佈全新的 Applied Centura Conforma 系統,採用突破性的均勻電漿植入(CPD)技術,在生產新一代邏輯與記憶體晶片時,能製造出先進的 3D 架構。

 

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美國北卡羅萊納州立大學(North Carolina State University)最近宣佈開發出一種「通用(universal)」記憶體技術,號稱結合了 DRAM 的速度,同時具備快閃記憶體的非揮發特性與密度優勢。

研究人員表示,這種新記憶體技術採用了雙浮動閘(double floating-gate)場效電晶體(FET),能允許電腦將目前未被存取的記憶體斷電,因此能大幅降低包括可攜式/桌上型PC與伺服器、資料中心等各種電腦的耗電量。「採用我們的新式雙浮動閘架構之記憶體,速度應可媲美DRAM,但需要經常刷新(refresh);其密度則可達到快閃記憶體的水準。」北卡羅萊納州立大學電子工程教授Paul Franzon表示。

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Mobile Ram

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2011年NAND Flash產業的殺手級應用主要來自3塊領域,包括平板電腦、智慧型手機、固態硬碟(SSD),其中平板電腦2011年對於NAND Flash需求可望較2010年成長300~400% 、手機對於NAND Flash需求可望較2010年成長70~80%、SSD對於NAND Flash需求也可望有100~200%的成長。
 

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科技市調機構IHS iSuppli 21日發表研究報告指出,預期今(2011)年全球平板電腦內建的DRAM平均容量將較去年的274MB跳增147%至676MB,主因平板電腦必須處理更多資料量偏高的應用程式(例如視訊軟體)。

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SONY開發的4Mbit ReRAM芯片的照片
“希望能在2~3年內確立Gbit級ReRAM(可變電阻式存儲器)的量產技術”(索尼消費者產品&元件集團半導體業務本部半導體技術開發部門元件技術部統括部長長島直樹)。

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