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目前分類:記憶體/儲存技術/RRAM/Xpoint/MRAM/FRAM (790)
- Jun 20 Mon 2011 22:52
2011/06/20 海力士開發出54nm工藝256Kbit ReRAM
- Jun 20 Mon 2011 22:44
2011/06/20 GF等開發出面向三維單元積層的高性能ReRAM技術
- Jun 20 Mon 2011 22:43
2011/06/20 Hynix宣布成功開發出20nm製程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片
- Jun 20 Mon 2011 22:41
2011/06/20 Rambus推新技術:5納秒極速內存開關
Rambus聲名狼藉,不過在技術方面的確是有自己的一套。在東京召開的2011年超大規模集成電路討論會上,Rambus就宣布了一種突破性的快速加電、低功耗時鐘技術,有望為內存設備帶來全新的面貌。
配合40nm低功耗CMOS工藝,這種新技術能夠讓內存在0.5納秒的時間內完成從零功耗待機狀態到每個差分鏈接5+Gbps高速數據傳輸工作狀態的轉換,同時運行功耗僅僅2.4mW/Gb/s,也就是說全速工作的時候每秒也不過12mW。
為了改進服務器和移動系統的能效,人們一直在尋求降低內存子系統功耗的方法。服務器應用中面臨的主要挑戰是需要快速切入和切出最低功耗狀態,而移動系統雖然支持多種電源狀態,但是低功耗運行通常需要復雜的電源狀態電路來配合完成。
Rambus聲稱,他們研發的新技術能夠避免這些弊端,實現內存子系統極快速地開關,而且可與SoC與內存界面、SoC與SoC連接相整合,從而縮短訪問延遲、簡化系統設計、降低整體系統功耗。
- Jun 20 Mon 2011 22:40
2011/06/20 日立發布三維單元積層和GB/秒高速寫入的相變存儲器
- Jun 20 Mon 2011 22:37
2011/06/20 旺宏與IBM開發避免寫入PRAM中數據在回流焊工序中被消除技術
- Jun 20 Mon 2011 22:31
2011/06/20 2011 Moblie RAM 導入DDR介面封裝製程
行動產品最重要的是續航力,而電池容量又受到體積限制,因此省電乃首要條件。隨著技術與製程的演進,Mobile RAM的電壓自3.3V,降至2.5V、1.8V,目前更進一步降至1.2V,比標準型DDR3的電壓(1.35V~1.5V)還低。
智慧型手機與平板電腦強調多媒體應用的表現,為提昇運作效能,Mobile RAM已導入DDR介面,其主流規格也自Mobile SDR,提升至Mobile DDR。目前Mobile DDR2則是全球記憶體廠商的重點開發產品,其寬度也從x16,x32提升至x64,以強化整體處理速率,現今其運作頻率已達1066MHz,並持續向上突破中。
此外,高品質的影音串流與處理需要足夠容量的DRAM,因此高容量也是Mobile RAM上很重要的趨勢。2011年許多新款智慧型手機搭載1GB DRAM,因此DRAM廠商紛紛推出更高容量的Mobile RAM。其中三星電子(Samsung Electronics)已於3月宣布,以30奈米製程量產4Gb Mobile DDR2產品,並藉由2層堆疊的方式,試產8Gb mobile DDR2。
新款智慧型手機不但效能更強大,其外型更是輕薄。以iPhone為例,iPhone 3GS的厚度為12.3毫米,而iPhone 4厚度縮減近4分之1,終端產品的尺寸當然取決於內部零組件同步的調整。就記憶體而言,容量加大,而體積要縮小,除了晶圓製程的微縮外,封裝製程與型態亦為關鍵。
- Jun 20 Mon 2011 22:30
2011/06/20 金士頓4GB SO-DIMM記憶體模組獲Intel認證通過
記憶體模組龍頭大廠金士頓宣布旗下2133 MHz HyperX 4 GB SO-DIMM 記憶體模組率先通過Intel Extreme Memory Profile (XMP)認證,為筆記型電腦專用記憶體模組產品中,最先獲得Intel XMP認證、且速度最快的產品,可推升現有筆記型電腦記憶體頻率,將可以迎接新一代筆記型電腦的需求。
金士頓以時序CL9-11-9-27、電壓1.5V在搭載Intel 最新第二代Core i7-2920XM處理器的ASRock HD65-MXM 主機板上,測試此組HyperX 2133 MHz 4 GB SO-DIMM 記憶體模組,並已獲得Intel XMP認證。
- Jun 20 Mon 2011 20:53
2011/06/20 集邦:短期NAND Flash合約價仍相對弱勢
集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示,第二季智慧型手機、平板電腦出貨不如預期,短期內主流NAND Flash合約價表現仍將相對弱勢,後續走勢將決定於系統產品的新產品上市效應與零售市場的記憶卡與隨身碟的旺季回補表現是否能夠在8月進一步回溫。
- Jun 14 Tue 2011 01:13
2011/06/14 3D IC明後年增溫封裝大廠已積極佈署
3DIC時代即將來臨! 拓墣產業研究中心副理陳蘭蘭表示,當摩爾定律發展到了極限之際,3DIC趨勢正在形成當中,預料將成為後PC時代的主流,掌握3DIC封裝技術的業者包括日月光(2311)、矽品( 2325)、力成(6239)等將可以領先掌握商機。
當IC體積越來越小,卻又必須達到高效能、低耗電等要求,半導體製程已經走到2X奈米,再往下發展已經受到瓶頸與最大極限挑戰,半導體產業所追求的摩爾定律將備受考驗,因此近年來,3DIC趨勢逐漸興起,陳蘭蘭認為,3DIC將是後PC時代的主流,現在也已經看到國內多家封測大廠包括日月光、矽品、力成等均積極布署3D堆疊封裝技術,預期今年為3DIC起飛的元年,明後年將可以見到明顯增溫態勢。
- Jun 06 Mon 2011 11:02
2011/06/06 Moneta存儲設備讀寫速度比SSD硬盤快6倍
加州大學聖地亞哥分校與鎂光,BEEcube,Xillinx等公司合作,成功製成了一台使用PCM相變內存構造的固態硬盤設備,這種SSD存儲設備的讀寫速度要比現有的SSD硬盤快上6倍,更比現有的常規機械式硬盤快上數千倍。 這台存儲設備被命名為Moneta。
- Jun 05 Sun 2011 21:24
2011/06/05 三星27nm製程NAND閃存顯微分析報告
- Jun 02 Thu 2011 07:19
2011/06/02 NAND Flash 32Gb MLC跌15.8%
- May 28 Sat 2011 17:35
2011/05/28 Buffalo公佈6Gbps 256GB 固態硬碟
日本Buffalo今天公佈了256GB的固態硬盤產品SSD-N256S/MC400,得益於6Gbps的SATA界面,這款產品的讀寫速度分別達到405和223MB/s ,芯片採用MLC結構,售價890美元。 兩週前海盜船也公佈了相類似型號的SSD產品,讀寫速度分別為550/502MB/s,容量為240GB。
- May 26 Thu 2011 22:08
2011/05/26 Kingmax公佈64GB microSDXC卡
- May 26 Thu 2011 11:06
2011/05/26 Ramtron選擇京元電子來擴大F-RAM產品的組裝和測試能力
低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣佈選擇京元電子股份有限公司 (KYEC) 來擴大其全部F-RAM產品系列的組裝和測試能力。京元電子在半導體組裝和測試服務領域擁有全球性的領導地位,可為Ramtron提供新增的後段生產能力,以滿足客戶對F-RAM產品日益成長的需求。
- May 25 Wed 2011 02:24
2011/05/25 2010年全球記憶體模組廠營收排名 金士頓佔半壁江山
根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查與統計各家模組廠的營收數字後,於 2011年5月發佈2010年記憶體模組廠的排名調查,由於模組廠營業項目日趨多元化,故僅針對各家模組 廠的記憶體營收數字作為排名依據。
- May 24 Tue 2011 21:49
2011/05/24 WD推出Photos相片瀏覽器應用程式
Western Digital Corp.推出最新版的 WD Photos 相片瀏覽器應用程式,搭配 WD TV Live Hub 多媒體中心,透過無線技術把高畫質影片從IOS與Android裝置傳送到WD TV Live Hub大尺寸螢幕上播放,支援 Apple iPhone 、 iPad、 iPod touch 、 Android 相容的智慧型手機或平板電腦。
消費者可透過 iOS 或 Android 裝置,直接將製作內容傳送到任何擁有WD TV Live Hub 媒體中心的使用者,並在大尺寸螢幕上觀看享受。這項功能特別適合商務旅行者,讓他們能與家人保持聯繫,並以有趣及創意的方式分享自己的旅程。學生以及出遠門的家人也能即時分享自己的生活點滴。
- May 21 Sat 2011 22:07
2011/05/21 USB3.0倒閉淘汰戰即將引爆
凱鈺總經理李訓豐昨表示,今年下半年起USB3.0需求會大幅成長,同時在裝置(Device)端的晶片供應商將出現大洗牌,目前領先者包括威鋒、銀燦都是新加入者,而原有的USB的供應商反而落後,因此未來競爭將會更加激烈,甚至會有業者要退出市場。
- May 20 Fri 2011 21:33
2011/05/20 WD針對影音應用發佈3TB SATA硬碟機