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武漢新芯積體電路製造有限公司簡稱武漢新芯,在2006年4月註冊成立,是湖北省決策實施武漢12英寸積體電路生產線專案的企業載體,是國家認定的首批重點積體電路生產企業。

武漢新芯公司坐落於東湖開發區,佔地531畝。2008年9月22日,公司建設的12英寸晶片專案正式投產,產品良率達到出貨水準。武漢新芯過去專長一直在記憶體晶片代工,2013年中芯國際正是退出武漢新芯營運,由武漢政府負責,經營團隊有一半來自美國。武漢新芯的客戶之一是NOR Flash大廠飛索(Spansion),為其代工65奈米和45奈米MirrorBit製程技術,2014年延伸至32奈米製程技術,且武漢新芯一直強調旗下的機台設備可支援3D IC製程技術的需求,為其爭取3D NAND技術埋下伏筆。日前傳出武漢新芯與飛索正式合作3D NAND技術研發,預計2016年底投產,2017年正式量產。

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Hynix正在和AMD聯合研發高帶寬的內存HBM,它採用堆疊DRAM設計,採用和處理器相同的封包。目前也已經有JEDEC標準管理接口。現在,Hynix官方公佈了這種內存的前瞻性演示幻燈片。

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大陸固態硬碟(SSD)市場殺聲隆隆,繼金士頓(Kingston)率先發動價格大戰,大陸SSD品牌廠亦全面跟進,近期殺價動作毫不手軟,256GB SSD價格已提前跌破100美元重要關卡,超乎業界預期,存儲器業者透露,大陸發動這波SSD殺價戰的主要廠商包括金泰科及影馳等,背後都擁有台系NAND Flash控制芯片廠作為強力後盾,配合美光(Micron)供應低價NAND Flash芯片,上演新一波SSD殺價搶市戲碼。

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Micron公司CEO Mark Durcan講解了DRAM和NAND存儲器的市場趨勢。他說,未來幾年DRAM出貨量增長速度將減緩。如圖1所示,2015年以後,DRAM出貨量的同比增速將從前些年的50%左右下降到20%左右。2014到2018年平均複合增長率為21%。另外,DRAM的市場應用結構將發生改變,移動和企業市場的比例將增加,如圖2所示。DRAM主要供應商已經從2005年的6家洗牌到2013年的3家(三星、SK海力士和美光),這個格局將不會改變。

2.1  

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三星電子(Samsung Electronics)在稍早正式量產20奈米Mobile DRAM,將有望幫助三星提高生產力以及成本競爭力。尤其在競爭對手們仍停留在20奈米中段製程的情況下,隨著三星在20奈米時代下畫上句點,分析認為,三星將有望可以在2015年前進10奈米時代,拉開與對手的技術差距。

韓媒edaily指出,三星繼稍早3月投產的PC用20奈米4Gb DDR3 DRAM,此次將20奈米製程擴大到Mobile DRAM。採用20奈米製程的產品可以提升30%以上的生產力,而電力消耗量也可以節省10%以上。

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中芯國際(SMIC)今天宣布,完全自主研發的38nm NAND閃存工藝已經準備就緒,憑此成為國內唯一一家可為客戶生產NAND產品的代工廠。

中芯國際的38nm閃存主要面向嵌入式產品、移動計算、物聯網(IOT)、電視及機頂盒等應用領域,也可用於串行外設接口SPI NAND。

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新型串列式EEPROM記憶體將有助提高拋棄式醫療配件監控與管理效率。拋棄式醫療配件搭載串列式EEPROM後,醫療器材管理人員可將產品失效日期或允許使用的最大次數等資訊記錄於記憶體中,以掌握配件使用的情形,增進監管效率。

許多醫療產品如內視鏡、縫合器和雷射脫毛系統都包含拋棄式配件,這些配件在使用後即被丟棄,而不會被消毒和重複使用。

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東芝(Toshiba)在2014年9月9日於日本四日市工廠,主持採用更高精度製程NAND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮,與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮,象徵在NAND Flash市場的積極作為。

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3DS  

隨著結盟開發帶來更快進入商業化應用的可能性,3DIC、TSV 將會是未來克服效能瓶頸相當重要的技術。

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記憶體晶片的微縮製程面臨極限,BusinessKorea 報導,預料 3D 垂直堆疊技術將成兵家必爭之地,三星電子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等紛紛投入研發。
BusinessKorea 16 日報導,三星電子最近完成 14.3 吋奈米 NAND flash 的研發,將微縮製程目標改為 14.2 吋。2000 年中期以來,NAND flash 製程從 40 奈米一路降至 16 奈米,業界專家認為 14 奈米將是微縮製程極限,因為 10 奈米 NAND flash 技術上雖然可行,可是所需的設備投資過高,就算生產也難以獲利。

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wd_hgst_ultrastar_helium_10tb  

HGST公司於美國時間2014年9月9日發布了10TB的3.5寸HDD硬盤(英文發布資料)。該產品採用名為“瓦記錄(Singled Write)”的新技術,以及在硬盤內充填氦氣並密封的“HelioSeal”技術,從而實現了10TB的存儲容量。據介紹,這是該公司首次採用瓦記錄技術。

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在移動裝置市場蓬勃發展的當前,NAND Flash需求還有很好的前景,當然這對NAND製造商來說,絕對也是廝殺激烈的戰場。而在各家業者當中,美光(Micron)被視為是能夠脫穎而出的製造商之一。

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甫於8月底公布JESD209-4第四代低功耗雙資料速率(LPDDR4)行動記憶體標準(參考連結)的JEDEC固態技術協會(Solid State Technology Association),近日又發佈了新版 3D 架構行動記憶體規格 Wide I/O 2 標準 JESD229-2 ,新標準同樣是為了因應行動運算裝置對記憶體速度與效能的需求。
新標準保留了以矽穿孔(TSV)技術垂直堆疊的Wide I/O形式,但速度明顯提升(四倍),在電源方面也有改變;具體說來,新的Wide I/O 2標準支援1.1V電源、最高68GB/s記憶體頻寬,鎖定智慧型手機、平板裝置以及遊戲機等應用。市場預期Wide I/O 2以及LPDDR4兩項新標準,將支援行動記憶體供應商同時提供水平與垂直(即3D)架構解決方案選項。

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全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示,雖然三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)的新工廠仍將於2015年陸續完工,但 2015年度的投片計畫仍在進行調整。

如三星Line17工廠原本預定第二季大量投片的計畫已經遞延,自明年第二季從每月10K開始增加,採隨市場狀況的漸進式增產,此舉不光可以穩定獲利結構,亦可隨時調整產品類別與比重,預計明年年末投片暫定為40K;但此同時隨著20nm製程的比重提升,該製程由於複雜度高,舊工廠在空間不足亦無法增添新設備下,投片會有減少的可能性。整體來看,三星即使有新工廠Line17的增產,但在舊工廠漸少投片,一消一長下,2015年三星的投片量應該與今年的投片量大致相同,年成長率僅仰賴技術轉進。

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The new high-density, high-performance module will play a key role in supporting the continued proliferation of enterprise servers and cloud-based applications, as well as further diversification of data center solutions. 

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大陸砸逾人民幣千億元成立芯片產業扶持基金,全力推升半導體產業競爭力,並四處尋找合作標的,業界傳出原本由台廠晶豪與美商矽成(ISSI)等存儲器IC設計業者競逐主導權的NOR Flash芯片廠宜揚,近期殺出大黑馬,宜揚獲得大陸資金挹注,將與大陸希格碼集團合資成立新公司,進行NAND Flash芯片開發,補強大陸在Flash存儲器領域版圖勢力,然恐將與持續轉進SLC(Single-Level Cell)NAND Flash領域的旺宏和華邦正面交鋒。

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南韓第二大記憶體廠SK海力士(SK Hynix)今(3)日發表業界最快行動式DRAM晶片,號稱傳輸速度為市面低功耗DDR4(LPDDR4)的四倍快,預計明年即可進入量產。南韓聯合通訊社(Yonhap)報導,海力士新Mobiel DRAM晶片容量達8GB,採20奈米技術打造,資料處理速度來到51.2 GB/s,遠遠高於LPDDR4的12.8 GB/s。海力士指出,LPDDR4擁有32個I/O(輸出/輸入)通道,傳輸速率達3200 Mbps,至於新Mobiel DRAM晶片則擁有512個I/O通道,雖然每個通道傳輸速度減為800 Mbps,但整體速度仍提升四倍。海力士表示,晶片樣本已送至系統單晶片(System-on-Chip)製造商做測試,預計量產時間為2015下半年?

資料來源:精實新聞

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縱向記錄技術與垂直磁記錄技術

泡泡網硬盤頻道4月22日目前就存儲行業而言,SSD無疑是最被人關注的產品,它擁有著眾多DIY玩家夢想的性能,其高性能、零噪音、高抗震能力,使其成為最有可能超越硬盤的一款產品。並正在越來越接近我們的生活。但是容量上的不足讓其始終不能完全取代機械硬盤,因此近年來機械硬盤的發展方向都是提升存儲密度,讓硬盤的單碟容量更高,讀寫性能更好。硬盤廠商近年來在不斷提升產品的速度與容量,如今6TB的產品已經面世,容量很可觀。今天筆者就為大家講解幾項為硬盤帶來容量提升的重要技術。

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