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目前日期文章:201608 (109)

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據科學技術部官方微博銳科技30日消息,美國麻省理工學院(MIT)的研發人員研製出一款量子計算原型芯片,可用於實現量子位元的離子阱和激發量子態的激光光路集成在一起。

這一成果發表在《自然·納米技術》雜誌 ​​網站上。

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領先的固態LiDAR 傳感器和智能傳感解決方案提供商Quanergy Systems, Inc.近日宣布,該公司已收購Raytheon BBN Technologies的OTUS人員跟踪(OTUS People Tracker)軟件。該軟件將完善Quanergy現有的軟件組合,而且與Quanergy的LiDAR傳感器搭配使用時,可為安全與自動駕駛市場內的人員偵測和跟踪高級應用打造綜合的軟硬件解決方案。

“收購Raytheon BBN的OTUS人員跟踪軟件,是Quanergy將LiDAR融於更大的運輸和自動化平台的戰略與長期路線圖計劃中的一個重大里程碑。Raytheon BBN是該領域公認的領導者,借助這款最先進的解決方案,Quanergy現如今將能夠進一步拓展其業務範圍,同時加強其提供更高水平的產品性能的能力。”

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應用於智能手機的Thermal Expert紅外攝像頭和i3system微測輻射熱計

應用於智能手機的最高分辨率(384 x 288像素)紅外攝像頭,採用韓國i3system 公司的17微米像元間距微測輻射熱計。

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2016年柏林消費電子展(IFA 2016)即將揭幕,韓媒報導三星電子(Samsung Electronics)將主打量子點(Quantum Dots)技術的新一代顯示器產品,包括量子點電視及量子點監視器,不參與OLED電視競爭;由於三星的策略方向抵定,未來電視市場以量子點與OLED兩大陣營對決的態勢將更加明確。

據朝鮮日報報導,三星將在IFA 2016上正式宣布採用量子點技術的QLED電視商用化策略,停止OLED電視生產計劃。若三星不參與生產大尺寸OLED電視,高階電視市場將形成量子點與OLED兩大產品系列之爭。

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2016年柏林消費電子展(IFA 2016)即將揭幕,韓媒報導三星電子(Samsung Electronics)將主打量子點(Quantum Dots)技術的新一代顯示器產品,包括量子點電視及量子點監視器,不參與OLED電視競爭;由於三星的策略方向抵定,未來電視市場以量子點與OLED兩大陣營對決的態勢將更加明確。

據朝鮮日報報導,三星將在IFA 2016上正式宣布採用量子點技術的QLED電視商用化策略,停止OLED電視生產計劃。若三星不參與生產大尺寸OLED電視,高階電視市場將形成量子點與OLED兩大產品系列之爭。

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TrendForce旗下光電事業處WitsView最新研究顯示,2016年LTPS新增產能受到數條新產線延至第四季後量產影響,全年整體產能增幅將放緩,遞延的產能進而將使2017年LTPS產能年成長率高達31.6%,加上中高階智慧型手機逐漸採用AMOLED面板衝擊,LTPS供過於求壓力將浮現。

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在全球持續突破存儲器運行速度的努力進程中,全球各研究人員均對於“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領域的研究感興趣,並投入大量時間從事研發,最新則是美國史丹佛大學(Stanford University)的研究做出了新突破,據稱可讓PCM的運行速度較傳統DRAM快上逾1,000倍以上。

據Techspot網站報導,所謂的相變化存儲器運作原理,是指在低阻抗的結晶態及高阻抗的非結晶態兩種物理狀態下進行移動,雖然此技術在現今全球儲存技術領域中已展現出許多優勢,不過仍存有技術缺陷,即所謂的“延遲”(latency)問題。

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半導體生產技術可能將發生重大變革,印刷相關技術有望大舉汰換舊有技術,應用在NAND Flash或OLED面板生產上,甚至被視為是日本面板業重建的契機;但面對國外大廠的大舉投資,日廠的資金並不充足,能否獲得國家大筆資金援助,可能將成為成敗關鍵。

在存儲器或系統芯片等半導體製造工程上,為求微縮線材寬度日窄,使得40年來半導體線路蝕刻技術主流的光刻技術,面臨光源的光線波長及寬度問題,工具機研發與購置價格日增,能生產高精度半導體的廠商也越來越少,並帶來半導體業界的購併問題。

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DIGITIMES Research觀察2016年第2季南韓記憶體產業發展,由於DRAM價格逐漸觸底、NAND Flash價格攀升、智慧型手機等主要終端裝置出貨增加,南韓記憶體產值再度攻上12兆韓元,達12.25兆韓元(約107億美元),較前季成長6.6%,但較2015年同期衰退6.0%;DRAM與NAND Flash產值分別為7.8兆及4.45兆韓元,比重分別為63.7%及36.3%,相較第1季的65.6%與34.4%,NAND Flash比重提升2個百分點。

三星(Samsung)已於2016年第1季量產18奈米製程DRAM,2016年第2季生產比重持續提升,並開始將18奈米製程導入伺服器用DRAM及行動(Mobile)DRAM生產。2016年第2季,三星行動DRAM全球市佔表現更上層樓,達61.5%的歷史新高水準。

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隨著工業應用逐漸多元化,工業應用設備須因應環境與功能需求的差異而有不同的設計要求,因而儲存裝置已由傳統硬碟轉向固態硬碟(SSD),工業儲存裝置 大量導入固態硬碟模組,其多樣的模組設計更能適應工業系統及客製化的需求,讓系統設備設計更有彈性及輕薄小型化。
[@B]兼顧效能/可靠性 SSD適應工業儲存需求[@C] 掌握應用與存取行為 提升工業儲存穩定性  

固態硬碟模組技術發展趨勢,從早期平行式先進附加(PATA)介面到主流串列式先進附加(SATA)介面延伸到新一代走向快捷外設互聯標準(PCI Express, PCIe)介面,不斷地提升介面頻寬來達到更高的存取效能(圖1)。  

 

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TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示,2016年第三季主流容量PC-Client OEM SSD合約均價,MLC-SSD季漲幅約0~0.5%,TLC-SSD則小跌0~1%,一年來首次出現價格持平。雖然下半年傳出SSD供應鏈供貨吃緊的雜音,今年筆記型電腦SSD搭載率仍將一舉突破30%水準,2017年至2018年則有望挑戰50%大關。

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IBM於年度Hot Chips技術大會上介紹Power 9處理器的更多細節,它可望成為一款突破性的晶片,催生系統廠商與加速器供應商建立新的夥伴關係,

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一種片上激光雷達( lidar-on-a-chip )系統,它比一角硬幣還小,沒有活動式零件,而且能以低成本進行大規模生產

在MIT的光子微系統組(Photonic Microsystems Group),本文作者正在開發一種片上激光雷達( lidar-on-a-chip )系統,它比一角硬幣還小,沒有活動式零件,而且能以低成本進行大規模生產,可用於自動駕駛汽車、無人機和機器人。

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英特爾(Intel)近期一口氣發布多款新固態硬碟(SSD)產品,將其3D NAND晶片進一步推向消費型與企業級固態硬碟市場。值得注意的是,這些新款SSD一律採用PCIe Gen3介面並支援NVMe協定,讀 ​​寫效能遠優於採用SATA介面的現有產品,同時也打破了NVMe以往僅見於企業或高階消費市場產品的局面。
英特爾表示,這些新款SSD採用3D TLC NAND記憶體,針對消費型市場的600p系列最低價格從69美元起跳(128GB版本),1TB儲存容量的版本則為359美元。至於鎖定企業市場的Pro 6000p系列價格則從79美元起跳(128GB版本),最高階產品定價則為364美元。

除了 ​​以價格攻勢吸引用戶外,英特爾這兩個系列的SSD硬碟全面採用PCIe Gen3介面並支援NVMe協定,因此其讀寫性能雖距離頂級產品仍有一段差距,但跟採用SATA介面的SSD相比,仍有高達3倍的優勢。其連續讀取性能為1,800MB/s、寫入性能為560MB/s;隨機讀取性能為15.5萬IOPS、隨機寫入則為12.8萬IOPS。

據了解,600p系列所採用的控制器由慧榮提供,3D TLC NAND顆粒則由美光(Micron)供應。

由目前英特爾的SSD產品線佈局來看,600p定位在中階,以與SATA介面接近的價格,卻具備PCIe介面的高性能做為主要訴求;540s則鎖定入門用戶族群,主打最佳的容量/價格比,但仍採用傳統SATA介面;高階部分仍為750系列,主要是設計給對性能有極高要求的企業跟玩家。
 


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豪威科技推出首款應用於醫學領域的晶圓級攝像頭模組

先進數字圖像處理方案商豪威科技(OmniVision Technologies)推出首款應用於醫學領域的晶圓級攝像頭模組:OVM6946。這塊結構緊湊且高性價比的攝像頭模組將為一次性內窺鏡提供高質量的圖像。

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市場傳出,受到AMOLED面板大缺貨影響,中國大陸手機品牌廠OPPO已開始下修8、9月原本熱賣的R9出貨量,下修幅度約兩成。由於OPPO是今年成長幅度最高的手機廠,法人認為,可能干擾聯發科等手機供應鏈本季旺季表現。

今年智能手機市場步入高原期,但在升級潮帶動下仍有黑馬竄出,以OPPO最受矚目,原本今年初希望今年銷售目標能夠達到6,000萬支,比去年成長兩成。

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晶圓龍頭台積電先進製程技術再次向前大步躍進,看好快充電源管理IC市場潛力,協同合作夥伴戴樂格半導體(Dialog Semiconductor),將於明年第1季推出首顆氮化鎵(GaN)手機快充晶片,挑戰快充晶片龍頭德儀(TI)及恩智浦(NXP)霸主地位。

喧騰已久氮化鎵製程,台積電終於宣布跨入氮化鎵先進製程,為 ​​合作客戶德商戴樂格量身打造,採用6寸、0.5微米、650V矽上氮化鎵(GaN-On-Silicon )製程技術,生產首顆氮化鎵手機快充晶片,預計在明年第1季產出,該晶片具備體積縮小、效能提高、充 ​​電時間減半等優勢,適用於手機及平板等行動快充,將挑戰業界霸主德儀、恩智浦龍頭地位。

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