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英特爾副總裁暨技術長Justin Rattner指出,英特爾在20奈米以下的處理器製程發展腳步亦符合預期,很快就能推出14奈米產品。  

英特爾副總裁暨技術長Justin Rattner指出,英特爾在20奈米以下的處理器製程發展腳步亦符合預期,很快就能推出14奈米產品。

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20121228_DisplaySearch_NT22P1  

顯示器產業研究機構NPD DisplaySearch 指出,韓國面板廠正在調整電視面板生產,主要原因是 AMOLED 電視在商品化發展面臨挑戰,且4Kx2K (超高解析度)電視的發展前景非常不錯。

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全球半導體聯盟(GSA)正式發表「2012中國 IC設計產業現況報告」。此產業報告是根據中國半導體行業協會積體電路設計分會理事長魏少軍於 2012年11月7日GSA台灣半導體領袖論壇中所發表的開幕主講「後 20nm工藝時代無晶圓製造產業的可持續發展挑戰」,輔以2012年12月6日於重慶舉行的中國集成電路設計年會(CSIA-ICCAD)所發表的演講「加強基礎能力建設,走可持續發展之路」之更新數據及觀點整理而成。
根據魏少軍所提供的數據,2012年中國 IC設計產業佔全球 IC設計產業的13.61%。雖然中國IC設計產業的整體規模仍然相對較小,但長期來看中國龐大的內需市場以及擁有大量工程人才的潛力已備受全球矚目。今年全中國IC設計產業銷售額預估達到680億元人民幣,比2011年的624億元增加8.98%,超過108億美元。儘管全球半導體市場現今面臨許多挑戰,中國在未來幾年將扮演影響全球市場成長的重要角色。

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台灣觸控面板廠出貨量估計  

台灣觸控面板廠出貨量估計
(來源:DIGITIMES Research)

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全球市場研究機構TrendForce旗下太陽能產業研究部門EnergyTrend指出,根據外電報導,看壞全球太陽能市場的未來發展,GTAT 將退出多晶長晶爐(DSS)領域,未來 GTAT 將僅服務既有客戶。然而在新技術方面, HiCz 技術的發展仍然按照計畫進行,規劃於 2013年推出相關產品。
EnergyTrend表示,由於GTAT為全球最主要的長晶爐製造商,此一消息勢必影響兩岸業者未來的布局。根據初步調查來看,GTAT在DSS領域中最主要的客戶都集中在兩岸業者,目前相關業者均無進一步擴廠規劃,加上電池技術未來發展有朝向採用單晶矽晶圓的趨勢,對於傳出GTAT退出DSS領域的消息,多位業者認為以目前的市場發展來看是不得不的決定。

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2012年將為我們留下許多重要的回憶,包括倫敦奧運,它不僅展現人類最好的成就與全球化合作,同時也突顯現今世界對科技的依賴。事實上,今年全球有超過48億人觀看倫敦奧運,並且第一次出現數位觀眾人數超過傳統電視觀眾的情形。
這場賽事如同現代社會的縮影,凸顯了大眾對於網路科技的依賴。2012年對於廣播業者、企業和消費者而言代表重大突破的一年,那麼2013年帶給我們什麼樣的前景呢?以下是網路部署方案供應商 Brocade 香港、台灣和澳門區總經理施龍馨所提出,該關切的 2013年五大 IT 技術趨勢:

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TransferJet可望實現更高性能以及易用性  

TransferJet可望實現更高性能以及易用性
(有效數據傳輸率:MB/s)

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比利時奈米電子研發機構愛美科(Imec)與晶片設計、驗證與製造及電子系統軟體廠商新思科技(Synopsys)近日宣布,雙方將擴大合作範圍並將電腦輔助設計技術(Technology Computer Aided Design,TCAD)應用於10奈米鰭式電晶體(FinFET)製程。此合作案是以14奈米等製程為基礎,而透過這項合作案,新思科技的Sentaurus TCAD模型將可有效支援新世代FinFET裝置。雙方的合作將包含新裝置架構的3D建模(3-D modeling),可協助半導體產業生產高效能、低功耗的產品。

愛美科邏輯程式部(logic program)總監Aaron Thean表示,我們當前的研發重點在於解決10奈米製程所面臨的半導體裝置及材料上的挑戰,而新思科技是TCAD技術的領導廠商,與新思科技合作將可強化我們在先進研究領域的影響力。

愛美科與一流IC廠商合作研發先進CMOS微縮(scaling)技術。這項技術涉及的不只是如何縮小晶片尺寸,裝置微縮(device scaling)還需要新材料(materials)、裝置架構(device architectures)、3D整合及光學(photonics)等各式新技術的支援。愛美科與新思科技的合作特別強調FinFET與tunnel FET (TFET)在新裝置架構的開發及優化(optimization)。於12月8日至10日在舊金山所舉辦的2012年國際電子元件大會(IEEE International Electron Devices Meeting,IEDM)上,愛美科發表了利用應力源(stressor)提升載子遷移率(carrier mobility)的研究論文,這對10奈米FinFET裝置的微縮相當重要。而使用新思科技的TCAD工具將有助於愛美科加速此項研究的發展。

新思科技矽晶工程事業群資深副總裁暨總經理柯復華表示:「與愛美科擴大合作有助於提升新思科技對於新世代FinFET裝置建模的TCAD模擬工具。愛美科為一以先進研發著稱的知名專業廠商,而雙方的合作將有助於強化新思的TCAD解決方案。」


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在經過兩年努力研發以突破每瓦200流明功效障礙後,科銳公司 (Cree) 終於以XLamp MK-R LED產品實現另一項業界第一。以SC³ Technology下一代LED平台為基礎,新型的MK-R LED在1W、25°C的條件下,可提供高達每瓦200流明光效。

新型的MK-R LED讓下一代每瓦流明超過100的照明系統能被應用於高流明應用上,包括室外和室內定向應用,如替代鹵素燈的照明。MK-R LED具備科銳獨有的EasyWhite色溫,能為單一LED的應用提供業界最佳的色溫一致性。針對使用多個LED的系統,MK-R讓製造商使用更少的LED,而仍然保持光的輸出和品質,從而降低系統成本。

Linea Light集團執行長 Nicola Vendrame指出:「科銳能夠那麼快速實現每瓦流明數達200的LED產品是相當驚人的成就。MK-R LED的高功效表示我們能夠在不產生熱問題的情況下讓LED產生更多光輸出,此外MK-R LED在尺寸、色溫一致性和光控各方面具備最佳組合,讓我們的室內定向照明實現新一代的性能。」

科銳創辦人之一暨Advanced Optoelectronics董事John Edmond如此表示:「科銳持續不懈的創新推進了LED照明的可能界限。MK-R LED是業界另一個變革者,一個具備此等性能的LED能加速高輸出照明應用的開發,甚至實現我們都還沒想到的應用。」

MK-R LED採用7mm x 7mm封裝尺寸,光源為6mm,在15W、85°C的條件下,可提供高達1600流明。在85°C的條件下,MK-R具備2700K至 7000K色溫特性,並提供最低顯色指數(CRI) 70、80和90(指定色溫)的選擇。MK-R LED是採用科銳SC³技術平台的第九款產品,該創新平台充分利用了科銳先進的碳化矽技術,具有提升了的LED晶片架構和螢光粉特性,加上新型的封裝設計,能提供業界最先進的LED元件。

科銳現在可提供Cree XLamp MK-R LED樣品,以標準供貨週期提供量產產品。


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根據SEMI 最新Book-to-Bill訂單出貨報告,2012年11月份北美半導體設備製造商平均訂單金額為7.204億美元,B/B值 (Book-to-Bill Ratio,訂單出貨比)為0.79,代表半導體設備業者當月份出貨100美元,接獲79美元的訂單。

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根據全球市場研究機構TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查,雖然對於明年景氣保守看待,不過智慧型手機、平板電腦仍可穩健成長,而超輕薄筆電(Ultrabook)的滲透率也將逐季提升,因此對於eMMC與SSD的發展依舊持正面看法,整體NAND Flash需求位元年成長率也可達47.6% 。另外,2013年NAND Flash供給端在約當12吋投片產能僅較2012年增加4%、資本支出預計較今年減少22% 的情況下,整體產出位元成長率僅約為41%。在市場供需趨於平衡下,預計2013年NAND Flash平均銷售價格(Average-Selling-Price)跌幅為22%,較今年跌幅的39.7%收斂許多。

從供給面來看,今年上半年NAND Flash需求因景氣因素造成市況明顯供過於求,價格大幅下滑導致廠商營運壓力大增,因此東芝陣營自七月份開始採取自身產能減產30%的政策來減少衝擊,其他廠商則是暫停原先下半年產能擴張的計畫。根據TrendForce調查,2013年NAND Flash供應商對於市況看法持續謹慎,加上20奈米等級製程比重將自明年第一季突破80%,整體產出已足夠滿足明年大部分的需求,對於新產能佈建的看法更顯保守。因此TrendForce估計2013年晶圓投片量將僅較2012年微幅增加4%,達到1,200萬片約當12吋晶圓,2013年整體NAND Flash供給位元成長率為41%。

從需求端來看,受惠於中低價機種扮演成長引擎,2013年智慧型手機的出貨量也預估自今年的6.74億隻成長32%至8.92億隻。在目前多數行動裝置處理器晶片多半能夠支援eMMC設計的利多下,除了高階智慧型手機機種外,隨著中低階智慧型手機市場的蓬勃發展與規格提升,eMMC在智慧型手機的滲透率也可望在2013年上看66%,有望挑戰70%大關。

平板電腦市場除了iPad4與iPad mini引領風潮,Android與Win8陣營也開始緊起直追,估計2013年平板電腦出貨量將自今年的1億台成長44%至1.43台,而eMMC的容量也隨著消費者的要求逐季增加,我們預期2013年平板電腦的NAND Flash用量將可較2012年成長將近50%。

雖然TrendForce預估2013年筆電市場成長動能較為遲緩,但在英特爾與PC生態圈的全力支持下,超輕薄筆電(Ultrabook)滲透率可望受惠於各種關鍵零組件成本的下降,與多種新款產品上市而逐季增加,預期Ultrabook的滲透率將自2012年6%上升至將近18%的水準,出貨數量成長三倍以上,因此2013年固態硬碟的NAND Flash消耗量也預期較2012年大幅提升65%以上,成長動能明確。

綜合供給端與需求端的因素考量,在需求動能明確與供給產出節制的情況下,2013年NAND Flash產業預期將呈現穩健成長的格局,整體NAND Flash產值也可望由負轉正,較2012年成長15%至美金240億的規模。


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凌華科技於2012年推出之量測新品─高速數字化儀PXIe-9848,入圍美國電子設備媒體《Test & Measurement World》2013年最佳測試產品獎(The Best in Test Product Awards)。該獎項為全球電子測試與量測產業中享有極高評價的榮譽之一,參選者須經過各專家或編輯嚴格的評選與反覆討論,並符合重要和創新兩大特性始有入圍之資格。來自世界各地的產品提報中,最終約只有70個入圍,競爭十分激烈。

「我們很榮幸能在這麼多的菁英產品中脫穎而出,凌華科技高速數字化儀PXIe-9848以其極致的表現被認定為全球最佳測試產品之一。PXIe-9848不僅能滿足客戶對於複雜品質測試參數設置與測試之需求,甚至超越原本的期待:包含上升時間(rise time)、過沖(overshoot)、開機延遲時間(turn-on delay)等,提供客戶兼具成本效益與功能優化的解決方案。」凌華科技量測與自動化產品事業處資深協理吳幼倩表示。

凌華科技PXIe-9848為針對電源供應器品質檢測而量身訂做的高速多通道PXI Express介面數字化儀。具備高達8通道、14位元解析度與100 MS/s取樣率,兼具高動態範圍性能、高速高精確度與高密度等產品特色,為目前市面上同類型8通道數字化儀產品中,擁有最佳性能表現的一款數字化儀。PXIe-9848基於PXI Express的設計架構,可支援多模組同步取樣功能,模組內建高達512MB記憶體;另支援100 MHz高頻寬傳輸,可順暢地同步處理8個通道的訊號取樣。其多通道設計,可大幅節省產線檢測的時間成本,提升檢測效率,為電源供應器品質檢測、光達技術(LiDAR)以及雷達訊號採集等相關應用的理想選擇。

「自1991年以來,我們每年皆評選出年度最佳測試獎。」美國《Test & Measurement World》雜誌主編Janine Love說,「今年有更多傑出的創新產品與服務參與評選,也期待我們的讀者肯定這些票選出來的產品,發現這些產品如評選的結果一樣優秀。」

最佳測試產品獎(The Best in Test Product Awards)旨在表彰對測試產業做出特別重大貢獻的創新產品,每年會從入圍最佳測試獎的名單中選出一項產品,頒發「年度最佳測試產品獎」。《Test & Measurement World》雜誌編輯從眾多提名者評選出入圍名單,然後邀請該雜誌具工程背景的讀者,以網路投票方式票選出優勝者,最後將讀者及編輯人員得票數合併計算,以確定年度「最佳測試獎」的得主。

《Test & Measurement World》目前開放讀者線上投票,網路票選時間至2012年12月31日止。凌華科技PXIe-9848產品則列於網路投票機制中的「資料擷取分類類目」(Data Acquisition category ),以及於其他類別(other categories)中:http://www.tmworld.com/electronics-blogs/other/4402436/Cast-your-vote-for-Best-in-Test.

2013年最佳測試大獎頒獎典禮將於1月31日將宣布各獎項得主。頒獎典禮結合「2013設計年會」( DesignCon 2013)於美國加利福尼亞州的聖克拉拉,Santa Clara會議中心劇院一同舉行。


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吳所長手持超低電壓晶片  

工研院發表「超低電壓晶片技術」,將使未來許多電子產品的電源消耗大幅降低,甚至靠人體體溫就能發電,是一項兼顧「開源、節流」雙目標的最佳解決方案!在經濟部技術處的支持下,工研院研發之「超低電壓晶片」設計技術具備優化的能源管理效能,是一項創新的突破,未來可廣泛應用於訊號、聲音、影像壓縮等多元化晶片設計與相關產品,商機無限。

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apple-sim-connector-patent  

Apple 和 Samsung 之間的專利戰爭讓很多人明白,贏得重要的專利對於市場競爭是有所幫助的。而 Apple 提出的 Mini-SIM Connector (官方稱呼是 Mini-SIM 連接器,但實際上 micro-SIM 卡含在其中,並且是時下流行的一個標準)專利在 12 月 25 日獲得正式批准,這對於蘋果來說算是一個最好的耶誕節禮物,雖然來得有點晚(最早是在 4 月份提出來的),但這樣的結果也讓對手們坐立不安。

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Samsung 成功試產首款 14nm 製程 FinFET 晶片  

繼擴建美國德州奧斯汀晶片生產線的計劃獲得批准以後,Samsung 又迎來了一個和晶片生產有關的好消息。他們於日前正式宣佈已經成功試產首款採用 14nm 製程的 FinFET 晶片,據悉和現有產品相比該款晶片的設計(有人會把這種設計和 Intel Ivy Bridge 晶片上使用的「Tri-Gate」電晶體技術相比)可以大大改善電力和效能表現,同時其還能將漏電率控制在較低的水平。Samsung 表示這款晶片是與 ARM、Cadence、Mentor 以及 Synopsis 共同合作的成果,而對我們用戶來說自然是希望它能夠早日上市啦。

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美博客SAI近日發布文章稱,更多的證據表明,谷歌已經不想再與其它廠商共享Android。谷歌去年以125億美元的價格將摩托羅拉移動收購旗下,此舉也引發了業界對谷歌動機的廣泛猜測。當時,一些分析師認為,谷歌將利用摩托羅拉移動的機頂盒業務來幫助推出谷歌電視產品,但事實上,谷歌已經以23.5億美元的價格拋售了摩托羅拉移動的機頂盒業務。
 

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當2007年的智慧型手機、2010年的平板電腦熱潮開始興起之際,哪一個品牌能儘速推出系統穩定、操作滑順的智慧型手機或平板電腦,都能創下亮麗的銷售表現。
 

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 北京時間12月21日消息,據國外媒體報導,美國最大的存儲芯片製造商美光科技週四發布了該公司2013財年第一財季財報。財報顯示,受PC產業下滑及宏觀經濟存在不確定性的影響,美光科技第一財季淨營收為18.34億美元,不及上年同期的20.90億美元;淨虧損為2.75億美元,上年同期淨虧損為1.87億美元。
  
  在截至11月29日的第一財季,美光科技營收為18.34億美元,不及上一季度的19.63億美元,不及上年同期的20.90億美元。美光科技第一財季運營虧損為1.57億美元,上一財季的運營虧損1.40億美元,上年同期的運營虧損8200萬美元。美光科技第一財季淨虧損為2.75億美元,合每股攤薄虧損0.27美元。美光科技上一季度淨虧損為2.43億美元,合每股攤薄虧損0.24美元;上年同期的淨虧損為1.87億美元,合每股攤薄虧損0.19美元。
  
  美光科技第一財季業績未達市場預期。湯森路透的調查顯示,市場分析師此前平均預計,美光科技第一財季每股攤薄虧損為0.20美元,營收為20.1億美元。
  
  加拿大皇家銀行資本市場分析師道格·弗里德曼(DougFreedman)預計,由於PC、服務器和網絡設備製造商庫存的內存芯片超過了需求並導致它們減少訂單,計算機存儲芯片的平均售價在第一財季下滑了18%。市場調研公司IHSISuppli預計,全球PC市場今年將出現下滑,這也將是過去10多年來全球PC出貨首次出現下滑。
  
  今年7月份,美光科技同意斥資2000億日元(約合23.7億美元)收購破產的日本存儲芯片製造商爾必達。這一交易的目的是獲得更多供應控制權,提升與韓國競爭對手三星電子、SK海力士之間的競爭力。爾必達在今年2月份尋求破產保護,原因是虧損導致公司無法償付債務。
  
  包括弗里德曼在內的市場分析師預計,存儲芯片產業在明年可能會減產, ​​這將有助於恢復產業內的供需平衡,並幫助美光科技恢復盈利。美光科技已經連續6個季度出現虧損,市場分析師當前普遍預計,該公司仍將會虧損2個季度。
  
  美光科技股價週四在納斯達克市場常規交易中下跌0.03美元,跌幅為0.44%,報收於6.79美元。在隨後的盤後交易中,美光科技股價下跌0.19美元,跌幅為2.80%,報收於6.60美元。過去52週,美光科技最低股價為5.16美元,最高股價為9.16美元。在10月24日觸及52週最低股價以來,受存儲芯片價格反彈的推動,美光科技股價累計漲幅已經超過了30%。


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光伏產業經歷了巨大的起伏,一度備受熱捧,說到底是因為補貼數額接近天文數字。如今落魄,無非是因為光伏產業並未如預期的那樣發揮建設性的關鍵作用。如今,再度吹風對光伏的扶持政策,最受關注的還是補貼的錢給誰,這很關鍵,補貼給技術革新是根本,給光伏產業是浪費,而直接給光伏企業,恐怕不是愚蠢就是居心不良了。

現實:像是一場煙火,砰的一聲上了天,落下來的全都是灰!

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